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1. (WO2017061333) VAPOR-PHASE GROWTH RATE MEASUREMENT DEVICE, VAPOR-PHASE GROWTH DEVICE, AND GROWTH RATE DETECTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/061333    International Application No.:    PCT/JP2016/079069
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), G01N 21/41 (2006.01)
Applicants: NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP/JP]; 8-1, Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2358522 (JP)
Inventors: IYECHIKA Yasushi; (JP)
Agent: NAGAI Hiroshi; (JP).
NAKAMURA Yukitaka; (JP).
SATO Yasukazu; (JP).
ASAKURA Satoru; (JP).
SEKINE Takeshi; (JP).
AKAOKA Akira; (JP).
KAWASAKI Yasushi; (JP)
Priority Data:
2015-200332 08.10.2015 JP
Title (EN) VAPOR-PHASE GROWTH RATE MEASUREMENT DEVICE, VAPOR-PHASE GROWTH DEVICE, AND GROWTH RATE DETECTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE VITESSE DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR, DISPOSITIF DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR, ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE VITESSE DE CROISSANCE
(JA) 気相成長速度測定装置、気相成長装置および成長速度検出方法
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a vapor-phase growth device and a growth rate detection method with which the growth rate of a thin film on a substrate can be easily and accurately detected. [Solution] The vapor-phase growth device is provided with: an initial parameter setting unit which sets initial values of respective fitting parameters including a complex refractive index of a substrate, a refractive index of each thin film formed on the substrate, a growth rate of each thin film, and at least one parameter having temperature dependency; a film thickness calculation unit which calculates the film thickness of each thin film on the basis of the growth time of each thin film and the set growth rate of each thin film; a parameter selection unit which selects, as a parameter having temperature dependency, a value corresponding to the growth temperature; a reflectance meter which measures the reflectance of the substrate on which the thin films are formed; a reflectance calculation unit which calculates the reflectance of each thin film using the values of the fitting parameters; an error calculation unit which, at a plurality of times after the start of film formation of the respective thin films, calculates an error between the reflectance calculated by the reflectance calculation unit and an actual measured value of reflectance of the corresponding thin film measured by the reflectance meter; a parameter modification unit which, if the error is not less than a predetermined value, modifies at least some of the values of the parameters having temperature dependency; and a growth rate output unit which outputs the growth rate of each thin film on the basis of the values of the fitting parameters when the error is less than the predetermined value.
(FR)Le problème décrit par l'invention est de pourvoir à un dispositif de croissance en phase vapeur et un procédé de détection de vitesse de croissance au moyen desquels la vitesse de croissance d'une couche mince sur un substrat peut être facilement et précisément détectée. La solution de l'invention porte sur un dispositif de croissance en phase vapeur qui est pourvu : d'une unité de réglage initial de paramètres qui règle des valeurs initiales de paramètres d'ajustement respectifs comprenant un indice de réfraction complexe d'un substrat, un indice de réfraction de chaque couche mince formée sur le substrat, une vitesse de croissance de chaque couche mince, et au moins un paramètre ayant une dépendance à la température; d'une unité de calcul d'épaisseur de couche qui calcule l'épaisseur de couche de chaque couche mince sur la base du temps de croissance de chaque couche mince et de la vitesse de croissance réglée de chaque couche mince; d'une unité de sélection de paramètre qui sélectionne, comme paramètre ayant une dépendance à la température, une valeur correspondant à la température de croissance; d'un réflectomètre qui mesure la réflectance du substrat sur lequel les couches minces sont formées; d'une unité de calcul de réflectance qui calcule la réflectance de chaque couche mince à l'aide des valeurs des paramètres d'ajustement; d'une unité de calcul d'erreur qui, à une pluralité d'instants après le début de la formation de couche des couches minces respectives, calcule une erreur entre la réflectance calculée par l'unité de calcul de réflectance et une valeur mesurée réelle de réflectance de la couche mince correspondante mesurée par le réflectomètre; d'une unité de modification de paramètres qui, si l'erreur est supérieure ou égale à une valeur prédéterminée, modifie au moins certaines des valeurs des paramètres ayant une dépendance à la température; et d'une unité de sortie de vitesse de croissance qui délivre en sortie la vitesse de croissance de chaque couche mince sur la base des valeurs des paramètres d'ajustement lorsque l'erreur est inférieure à la valeur prédéterminée.
(JA)【課題】基板上の薄膜の成長速度を簡易かつ精度よく検出可能な気相成長装置および成長速度検出方法を提供する。 【解決手段】気相成長装置は、基板の複素屈折率と、基板上に形成される各薄膜の屈折率と、各薄膜の成長速度と、少なくとも一つの温度依存性を有するパラメータと、を含むフィッティングパラメータのそれぞれについて初期値を設定する初期パラメータ設定部と、各薄膜の成長時間と、設定された各薄膜の成長速度と、に基づいて、各薄膜の膜厚を算出する膜厚算出部と、温度依存性を有するパラメータとして、成長温度に応じた値を選択するパラメータ選択部と、各薄膜が形成される基板の反射率を測定する反射率計と、フィッティングパラメータの値を用いて各薄膜の反射率を算出する反射率算出部と、前記各薄膜の成膜開始後の複数の時刻において、反射率算出部で算出された反射率と、対応する薄膜の反射率計で測定された反射率の実測値と、の誤差を算出する誤差算出部と、誤差が所定値以上の場合は、温度依存性を有するパラメータの少なくとも一部の値を変更するパラメータ変更部と、誤差が所定値未満のときのフィッティングパラメータの値に基づく各薄膜の成長速度を出力する成長速度出力部と、 を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)