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1. (WO2017061154) SILICON CARBIDE EXPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/061154 International Application No.: PCT/JP2016/069801
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 04.07.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventors: NISHIGUCHI, Taro; JP
HIRATSUKA, Kenji; JP
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2015-19956507.10.2015JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EXPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate includes a silicon carbide single crystal substrate and a silicon carbide layer. The silicon carbide layer includes a second major surface opposite the surface that contacts the silicon carbide single crystal substrate. The second major surface is a {0001} plane slanted in an off direction. The second major surface has a maximum diameter of 100 mm or greater. The second major surface has a circumferential region within 3 mm or less from the outer edge of the second major surface and a center region surrounded by the circumferential region. The center region has a first dislocation array of first half loops that are aligned along a straight line perpendicular to the off direction. The first half loops include a pair of threading edge dislocations that are exposed on the second major surface. The surface density of the first dislocation array in the center region is 10 per cm2 or lower.
(FR) Ce substrat épitaxial de carbure de silicium présente un substrat monocristallin de carbure de silicium et une couche de carbure de silicium. La couche de carbure de silicium comprend une deuxième surface principale opposée à la surface qui entre en contact avec le substrat monocristallin de carbure de silicium. La deuxième surface principale est un plan {0001} incliné dans une direction d'inclinaison. La deuxième surface principale présente un diamètre maximal de 100 mm ou plus. La deuxième surface principale présente une région circonférentielle à l'intérieur de 3 mm ou moins depuis le bord extérieur de la deuxième surface principale et une région centrale entourée par la région circonférentielle. La région centrale possède un premier réseau de dislocations de premières demi-boucles qui sont alignées le long d'une ligne droite perpendiculaire à la direction d'inclinaison. Les premières demi-boucles comprennent une paire de dislocations de bord de filetage qui sont apparentes sur la deuxième surface principale. La densité superficielle du premier réseau de dislocations dans la région centrale est de 10 par cm2 ou moins.
(JA)  炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素単結晶基板と、炭化珪素層とを有する。炭化珪素層は、炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第2主面を含む。第2主面は、{0001}面がオフ方向に傾斜した面である。第2主面の最大径は、100mm以上である。第2主面は、第2主面の外縁から3mm以内の外周領域と、外周領域に取り囲まれた中央領域とを有する。中央領域には、オフ方向に対して垂直な直線に沿って並ぶ第1ハーフループの第1転位列がある。第1ハーフループは、第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含む。中央領域における第1転位列の面密度は、10本/cm以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)