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1. (WO2017060700) DEVICE ARCHITECTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/060700    International Application No.:    PCT/GB2016/053100
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 05.10.2016
IPC:
H01L 51/44 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Buxton Court 3 West Way Oxford Oxfordshire OX2 0JB (GB)
Inventors: SNAITH, Henry James; (GB).
LEIJTENS, Tomas; (GB).
ALEXANDER-WEBBER, Jack; (GB).
HOERANTNER, Maximilian Tobias; (GB)
Agent: SILCOCK, Peter James; (GB)
Priority Data:
1517629.0 06.10.2015 GB
Title (EN) DEVICE ARCHITECTURE
(FR) ARCHITECTURE DE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an optoelectronic device comprising: (a) a substrate comprising at least one first electrode, which at least one first electrode comprises a first electrode material, and at least one second electrode, which at least one second electrode comprises a second electrode material; and (b) a photoactive material disposed on the substrate, which photoactive material is in contact with the at least one first electrode and the at least one second electrode, wherein the substrate comprises: a layer of the first electrode material; and, disposed on the layer of the first electrode material, a layer of an insulating material, which layer of an insulating material partially covers the layer of the first electrode material; and, disposed on the layer of the insulating material, the second electrode material, and wherein the photoactive material comprises a crystalline compound, which crystalline compound comprises: one or more first cations selected from metal or metalloid cations; one or more second cations selected from Cs+, Rb+, K+, NH4+ and organic cations; and one or more halide or chalcogenide anions. A substrate comprising a first and second electrode and processes are also described.
(FR)La présente invention concerne un dispositif optoélectronique comprenant : (a) un substrat comprenant au moins une première électrode, laquelle première électrode comprend une première matière d'électrode, et au moins une seconde électrode, laquelle seconde électrode comprend une seconde matière d'électrode ; et (b) une matière photo-active disposée sur le substrat, laquelle matière photo-active est en contact avec ladite première électrode et ladite seconde électrode, le substrat comprenant : une couche de la première matière d'électrode ; et, disposée sur la couche de la première matière d'électrode, une couche d'une matière isolante, laquelle couche d'une matière isolante recouvre partiellement la couche de la première matière d'électrode ; et, disposée sur la couche de la matière isolante, la seconde matière d'électrode, et la matière photo-active comprenant un composé cristallin, lequel composé cristallin comprend : un ou plusieurs premiers cations choisis dans le groupe constitué de cations métalliques ou métalloïdes ; un ou plusieurs seconds cations choisis parmi Cs+, Rb+, K+, NH4+ et des cations organiques ; et un ou plusieurs halogénures ou anions à base de chalcogénure. La présente invention porte également sur un substrat comprenant une première et une seconde électrode et des procédés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)