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1. (WO2017060564) AN APPARATUS AND ASSOCIATED METHOD FOR SENSING A PHYSICAL STIMULUS
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Pub. No.: WO/2017/060564 International Application No.: PCT/FI2016/050652
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 21.09.2016
IPC:
G01N 27/12 (2006.01) ,G01D 5/16 (2006.01) ,G01D 3/10 (2006.01)
Applicants: PROVENANCE ASSET GROUP LLC[US/US]; 22 West Ave. Essex, CT 06426, US
Inventors: ALLEN, Mark; GB
WEI, Di; GB
BESSONOV, Alexander; GB
Agent: BERGGREN OY; Visiokatu 1 33720 Tampere, FI
UUSITALO, Arttu; FI
Priority Data:
15188999.508.10.2015EP
Title (EN) AN APPARATUS AND ASSOCIATED METHOD FOR SENSING A PHYSICAL STIMULUS
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ POUR DÉTECTER UN STIMULUS PHYSIQUE
Abstract: front page image
(EN) An apparatus comprising a detection circuit and an associated reference circuit, each circuit comprising a power source coupled to a memristor via a resistive sensor, the power source configured to apply a voltage to the memristor to switch the memristor from a first resistance state to a second resistance state when the resistive sensor is exposed to a physical stimulus, wherein the power source of the detection circuit is configured to have a discharge rate which is dependent upon the physical stimulus whilst the power source of the associated reference circuit is configured to have a discharge rate which is not dependent upon the physical stimulus, the resulting difference in discharge rates between the respective power sources allowing the timing of the physical stimulus to be determined based on whether or not the respective memristors of the detection and associated reference circuits have both switched.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant un circuit de détection et un circuit de référence associé, chaque circuit comprenant une source d'alimentation couplée à une memristance par l'intermédiaire d'un capteur résistif, la source d'alimentation étant configurée pour appliquer une tension sur la memristance afin de commuter la memristance d'un premier état de résistance à un second état de résistance lorsque le capteur résistif est exposé à un stimulus physique, la source d'alimentation du circuit de détection étant configurée pour avoir un taux de décharge qui est dépendant du stimulus physique, alors que la source d'alimentation du circuit de référence associé est configurée pour avoir un taux de décharge qui n'est pas dépendant du stimulus physique, la différence résultante dans les taux de décharge entre les sources d'alimentation respectives permettant au moment du stimulus physique d'être déterminé en fonction de la commutation ou non des deux memristances respectives des circuits de détection et de référence associé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)