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1. (WO2017060160) SEMICONDUCTOR LASER AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/060160    International Application No.:    PCT/EP2016/073352
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 29.09.2016
IPC:
H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: SINGER, Frank; (DE).
VON MALM, Norwin; (DE).
RÜGHEIMER, Tilman; (DE).
KIPPES, Thomas; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2015 116 970.3 06.10.2015 DE
Title (DE) HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASERS
(EN) SEMICONDUCTOR LASER AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D’UN LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(DE)In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23)eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).
(EN)In one embodiment of the invention, the semiconductor laser (1) comprises a semiconductor layer sequence (2). The semiconductor layer sequence (2) contains an n-type region (23), a p-type region (21) and an active zone (22) lying between the two. A laser beam is produced in a resonator path (3). The resonator path (3) is aligned parallel to the active zone (22). In addition, the semiconductor laser (1) contains an electrical p-contact (41) and an electrical n-contact (43) each of which is located on the associated region (21, 23) of the semiconductor layer sequence (2) and is configured to input current directly into the associated region (21, 23). The n-contact (43) extends from the p-type region (21) through the active zone (22) and into the n-type region (23) and is located, when viewed from above, next to the resonator path (3).
(FR)Selon un mode de réalisation, l’invention concerne un laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches de semi-conducteur (2). La succession de couches de semi-conducteur (2) comprend une zone conductrice de type n (23), une zone conductrice de type p (21) et une zone active (22) située entre ces deux dernières. Un rayonnement laser est produit dans une trajectoire de résonateur (3). La trajectoire de résonateur (3) est orientée parallèlement à la zone active (22). Le laser à semi-conducteur (1) comprend en outre un contact électrique de type p (41) et un contact électrique de type n (43) qui se trouvent respectivement au niveau de la zone (21, 23) associée de la succession de couches de semi-conducteur (2) et qui sont conçus pour appliquer du courant directement dans la zone (21, 23) associée. Le contact de type n (43) s’étend à partir de la zone conductrice de type p (21) à travers la zone active (22) jusque dans la zone conductrice de type n (23) et se trouve, en vue de dessus, adjacent à la trajectoire de résonateur (3).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)