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1. (WO2017059739) LATERALLY DIFFUSED METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/059739    International Application No.:    PCT/CN2016/095902
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 18.08.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: QI, Shukun; (CN).
SUN, Guipeng; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201510647166.7 08.10.2015 CN
Title (EN) LATERALLY DIFFUSED METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE ET DIFFUSION LATÉRALE
(ZH) 横向扩散金属氧化物半导体场效应管
Abstract: front page image
(EN)A laterally diffused metal-oxide semiconductor field-effect transistor, comprising a substrate (10), a first conductivity type well region (30), a second conductivity type well region (20), a drain electrode (44) in the first conductivity type well region, a source electrode (42) and a body region (48) in the second conductivity type well region, and a gate electrode (46) arranged across surfaces of the first conductivity type well region (30) and the second conductivity type well region (20), and also comprising a floating layer ring (50) arranged on the top of the first conductivity type well region (30) and located between the gate electrode (46) and the drain electrode (44) and a plurality of groove polysilicon electrodes (60) running through the floating layer ring (50) and stretching into the first conductivity type well region (30).
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique et diffusion latérale, comprenant un substrat (10), une région de puits d'un premier type de conductivité (30), une région de puits d'un second type de conductivité (20), une électrode de drain (44) dans la région de puits d'un premier type de conductivité, une électrode de source (42) et une région de corps (48) dans la région de puits d'un second type de conductivité, ainsi qu'une électrode de grille (46) disposée en travers des surfaces de la région de puits du premier type de conductivité (30) et de la région de puits du second type de conductivité (20), et comprenant également une couche annulaire flottante (50) disposée sur la partie supérieure de la région de puits d'un premier type de conductivité (30) et disposée entre l'électrode de grille (46) et l'électrode de drain (44) et une pluralité d'électrodes de polysilicium (60) à rainures s'étendant à travers la couche annulaire flottante (50) et s'étirant dans la région de puits d'un premier type de conductivité (30).
(ZH)一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管,包括衬底(10)、第一导电类型阱区(30)、第二导电类型阱区(20)、第一导电类型阱区内的漏极(44)、第二导电类型阱区内的源极(42)和体区(48)、跨设于所述第一导电类型阱区(30)和第二导电类型阱区(20)表面的栅极(46),还包括设于所述第一导电类型阱区(30)顶部、且位于所述栅极(46)和漏极(44)之间的浮层环(50),以及多个贯穿所述浮层环(50)伸入所述第一导电类型阱区(30)内的沟槽多晶硅电极(60)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)