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1. (WO2017057742) SIC SINGLE CRYSTAL INGOT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057742    International Application No.:    PCT/JP2016/079148
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventors: NAKABAYASHI, Masashi; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; (JP).
ISHIDA, Takashi; (JP).
KOGA, Tetsuji; (JP).
KAMEMATSU, Hiroshi; (JP).
FUKUCHI, Norio; (JP).
HONDA, Akio; (JP).
NAKAMURA, Tomoyuki; (JP)
Priority Data:
2015-196622 02.10.2015 JP
2016-041626 03.03.2016 JP
Title (EN) SIC SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) LINGOT MONOCRISTALLIN DE SIC
(JA) SiC単結晶インゴット
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an SiC single crystal ingot that has low dislocation density in basal plane dislocations and threading screw dislocations and excellent crystal quality, as well as little elastic strain. The SiC single crystal ingot according to the present invention is characterized in that: when an SiC single crystal substrate is cut out arbitrarily from at least a relative position that is within the range of 0.2-0.8 with respect to the height direction of the ingot, the basal plane dislocation density and the threading screw dislocation density observed at the surface of the substrate are respectively of predetermined values or less; and a Raman index, which is the difference (A-B) between (A) a Raman shift value measured at a central section of the substrate and (B) a Raman shift value measured at a peripheral section of the substrate, is of a predetermined value or less.
(FR)La présente invention concerne un lingot monocristallin de SiC qui présente une faible densité de dislocations dans les dislocations de plan basal et les dislocations en vis et une excellente qualité cristalline, ainsi que peu de contrainte élastique. Le lingot monocristallin de SiC selon la présente invention est caractérisé en ce que : lorsqu'un substrat monocristallin de SiC est découpé de façon arbitraire à partir d'au moins une position relative, qui se situe dans la plage de 0,2-0,8 par rapport à la direction de la hauteur du lingot, la densité de dislocations de plan basal et la densité de dislocations en vis observées au niveau de la surface du substrat présentent respectivement des valeurs prédéterminées ou moins; et un indice Raman, qui est la différence (A-B) entre (A) une valeur de décalage Raman mesurée au niveau d'une section centrale du substrat et (B) une valeur de décalage Raman mesurée au niveau d'une section périphérique du substrat, présente une valeur prédéterminée ou moins.
(JA)本発明は、基底面転位や貫通螺旋転位の転位密度が低くて結晶品質に優れて、しかも、弾性歪の小さいSiC単結晶インゴットを提供する。 本発明のSiC単結晶インゴットは、少なくともインゴットの高さ方向に対する相対位置が0.2~0.8の範囲内から任意にSiC単結晶基板を切り出したときに、該基板の表面で観察される基底面転位密度と貫通螺旋転位密度とがそれぞれ所定の値以下であり、また、該基板の中心部で測定されたラマンシフト値(A)と周辺部で測定されたラマンシフト値(B)との差(A-B)であるラマン指数が所定の値以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)