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1. (WO2017057422) THIN FILM LC COMPONENT AND MOUNTING STRUCTURE OF SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057422    International Application No.:    PCT/JP2016/078552
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 28.09.2016
IPC:
H01G 4/40 (2006.01), H01F 17/00 (2006.01), H01F 27/00 (2006.01), H01G 4/33 (2006.01), H03H 7/01 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: UEKI, Noriyuki; (JP)
Agent: KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2015-196392 02.10.2015 JP
Title (EN) THIN FILM LC COMPONENT AND MOUNTING STRUCTURE OF SAME
(FR) COMPOSANT LC À FILM MINCE ET SA STRUCTURE DE MONTAGE
(JA) 薄膜型LC部品およびその実装構造
Abstract: front page image
(EN)This thin film LC component (101) comprises: a substrate (10) that has a first surface (S1) and a second surface (S2) facing each other; a thin film capacitor (TFC) that is formed on the first surface (S1) by a thin film process; a thin film inductor (TFL) that is formed in a region of the second surface (S2) by a thin film process, said region at least partially overlapping the thin film capacitor (TFC) when viewed in plan; interlayer connection conductors (42, 62) that are formed in the substrate (10) and connect the thin film capacitor (TFC) and the thin film inductor (TFL) to each other; an insulating layer (31) that is formed on the first surface (S1) and covers the thin film capacitor (TFC); and a plurality of terminal electrodes (51, 52, 53) that are formed on the surface of the insulating layer (31) and are connected to the thin film capacitor (TFC) and the thin film inductor (TFL).
(FR)L'invention concerne un composant LC à film mince (101) qui comprend : un substrat (10) qui a une première surface (S1) et une seconde surface (S2) l'une en face de l'autre ; un condensateur à film mince (TFC) qui est formé sur la première surface (S1) par un processus de film mince ; une bobine d'inductance à film mince (TFL) qui est formée dans une région de la seconde surface (S2) par un processus de film mince, ladite région chevauchant au moins partiellement le condensateur à film mince (TFC) dans une vue en plan ; des conducteurs de connexion entre couches (42, 62) qui sont formés dans le substrat (10) et connectent le condensateur à film mince (TFC) et la bobine d'inductance à film mince (TFL) l'un à l'autre ; une couche isolante (31) qui est formée sur la première surface (S1) et recouvre le condensateur à film mince (TFC) ; et une pluralité d'électrodes de borne (51, 52, 53) qui sont formées sur la surface de la couche isolante (31) et sont connectées au condensateur à film mince (TFC) et à la bobine d'inductance à film mince (TFL).
(JA)薄膜型LC部品(101)は、互いに対向する第1面(S1)および第2面(S2)を有する基板(10)と、第1面(S1)に薄膜プロセスによって形成された薄膜キャパシタ(TFC)と、第2面(S2)のうち平面視で薄膜キャパシタ(TFC)と少なくとも一部が重なる領域に、薄膜プロセスによって形成された薄膜インダクタ(TFL)と、基板(10)に形成され、薄膜キャパシタ(TFC)と薄膜インダクタ(TFL)とを接続する層間接続導体(42,62)と、第1面(S1)側に形成され、薄膜キャパシタ(TFC)を覆う絶縁層(31)と、絶縁層(31)の表面に形成され、薄膜キャパシタ(TFC)および薄膜インダクタ(TFL)に接続された複数の端子電極(51,52,53)と、を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)