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1. (WO2017057273) ELECTROSTATIC CHUCK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057273    International Application No.:    PCT/JP2016/078267
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 26.09.2016
IPC:
C04B 35/111 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP)
Inventors: WATANABE, Morimichi; (JP).
NANATAKI, Tsutomu; (JP)
Agent: ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Priority Data:
2015-193943 30.09.2015 JP
2015-193944 30.09.2015 JP
2016-100720 19.05.2016 JP
Title (EN) ELECTROSTATIC CHUCK
(FR) PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック
Abstract: front page image
(EN)An electrostatic chuck 10 according to an embodiment of the present invention has an electrostatic electrode 14 disposed between a dielectric layer 12 and a ceramic layer 16. The dielectric layer 12 comprises an oriented alumina sintered body having a surface with a c-plane orientation of at least 5%, said c-plane orientation being obtained by way of the Lotgering method using an X-ray diffraction profile in the range of 2θ=20 to 70˚ when irradiating with X-rays. The ceramic layer 16 is integrated with the surface of the dielectric layer 12 at the opposite side to a wafer placement surface 12a.
(FR)Cette invention concerne un porte-substrat électrostatique 10 comprenant une électrode électrostatique 14 située entre une couche diélectrique 12 et une couche céramique 16. La couche diélectrique 12 comprend un corps fritté en alumine orienté pourvu d'une surface ayant une orientation dans le plan c d'au moins 5 %, ladite orientation dans le plan c étant obtenue au moyen du procédé de Lotgering à l'aide d'un profil de diffraction des rayons X dans la plage de 2θ = 20 à 70° quand elle est exposée à des rayons X. La couche céramique 16 est intégrée à la surface de la couche diélectrique 12 du côté opposé à une surface de placement d'une tranche de silicium 12a.
(JA)本実施形態の静電チャック10は、誘電体層12とセラミックス層16との間に静電電極14が存在している。誘電体層12は、X線を照射したときの2θ=20°~70°の範囲におけるX線回折プロファイルを用いてロットゲーリング法により求めたc面配向度が5%以上の面を有する配向アルミナ焼結体からなる。セラミックス層16は、誘電体層12のウエハー載置面12aとは反対側の面に一体化されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)