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1. (WO2017057253) TREATMENT LIQUID AND PATTERN FORMATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057253    International Application No.:    PCT/JP2016/078230
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 26.09.2016
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: TSUBAKI Hideaki; (JP).
TSUCHIHASHI Toru; (JP).
NIHASHI Wataru; (JP).
YAMAMOTO Kei; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP).
MIWA Haruko; (JP).
ITOH Hideaki; (JP).
MITSUHASHI Fumio; (JP)
Priority Data:
2015-195057 30.09.2015 JP
Title (EN) TREATMENT LIQUID AND PATTERN FORMATION METHOD
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS
(JA) 処理液及びパターン形成方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the issue of providing a treatment liquid for resist film patterning and a pattern formation method, whereby the occurrence of pattern collapse in resist L/S patterns and the occurrence of removal defects in resist C/H patterns can both be suppressed. This treatment liquid for resist film patterning contains organic solvents and is used in at least either developing or washing of resist films obtained from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition. The treatment liquid contains a first organic solvent having an SP value of no more than 16.3 MPa1/2 and a second organic solvent having an SP value of at least 17.1 MPa1/2.
(FR)La présente invention répond au problème qui consiste à fournir un liquide de traitement pour la réalisation de motifs dans des films de résist et un procédé de formation de motifs, susceptibles d'éviter l'affaissement de motifs de résist de type L/S et l'apparition de défauts d'élimination dans des motifs de résist de type C/H. Ce liquide de traitement pour la réalisation de motifs dans des films de résist contient des solvants organiques, et est utilisé au moins soit pour le développement, soit pour le lavage de films de résist obtenus à partir d'une composition sensible aux rayons actiniques ou sensible à un rayonnement. Le liquide de traitement contient un premier solvant organique dont la valeur SP est inférieure ou égale à 16,3 MPa1/2 et un deuxième solvant organique dont la valeur SP est supérieure ou égale à 17,1 MPa1/2.
(JA)本発明の課題は、レジストL/Sパターンにおけるパターン倒れの発生とレジストC/Hパターンにおける抜け不良の発生を同時に抑制できるレジスト膜パターニング用の処理液及びパターン形成方法を提供することである。 本発明の処理液は、感活性光線又は感放射線性組成物から得られるレジスト膜に対して現像及び洗浄の少なくとも一方を行うために使用され、有機溶剤を含有するレジスト膜パターニング用の処理液であって、SP値が16.3MPa1/2以下の第一の有機溶剤とSP値が17.1MPa1/2以上の第二の有機溶剤を含有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)