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1. (WO2017057226) PATTERN FORMING METHOD AND ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057226    International Application No.:    PCT/JP2016/078170
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 26.09.2016
IPC:
G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: YOSHINO Fumihiro; (JP).
HARADA Kenichi; (JP).
SUGIYAMA Shinichi; (JP).
TOMIGA Takamitsu; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP).
MIWA Haruko; (JP).
ITOH Hideaki; (JP).
MITSUHASHI Fumio; (JP)
Priority Data:
2015-195235 30.09.2015 JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD AND ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UN RAYONNEMENT OU SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE
(JA) パターン形成方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides: a pattern forming method which is not susceptible to the occurrence of variation in the thickness among production lots, and which is suitable for applications in gray-scale exposure; and an active light sensitive or radiation sensitive resin composition. A pattern forming method according to the present invention comprises: a step A wherein a film having a thickness T is formed on a substrate using an active light sensitive or radiation sensitive resin composition that contains a resin, the solubility of which in a developer liquid is changed by the action of an acid, and an acid generator; a step B wherein the film is exposed to light; and a step C wherein the light-exposed film is developed with use of a developer liquid, thereby forming a pattern. The film formed in step A satisfies at least one of the condition 1 and the condition 2 described below. Condition 1: In cases where the thickness T of the film is 800 nm or more, the value of γ is less than 10,000. Condition 2: In cases where the thickness T of the film is less than 800 nm, the value of γ is less than 5,000.
(FR)La présente invention concerne : un procédé de formation de motif qui n'est pas sensible à l'apparition de variation d'épaisseur parmi des lots de production, et qui est approprié pour des applications d'exposition d'échelle de gris; une composition de résine sensible à un rayonnement ou sensible à la lumière active. Un procédé de formation de motif selon la présente invention comprend les étapes suivantes : A, un film ayant une épaisseur T est formé sur un substrat à l'aide d'une composition de résine sensible à un rayonnement ou sensible à la lumière active qui contient une résine, dont la solubilité dans un liquide de révélateur est changée par l'action d'un acide, et un générateur d'acide; B, le film est exposé à la lumière; C, le film exposé à la lumière est développé à l'aide d'un liquide de révélateur, formant ainsi un motif. Le film formé dans l'étape A satisfait au moins une parmi la condition 1 et la condition 2 décrites ci-dessous. Condition 1 : dans les cas où l'épaisseur T du film est de 800 nm ou plus, la valeur de γ est inférieure à 10 000. Condition 2 : dans les cas où l'épaisseur T du film est inférieure à 800 nm, la valeur de γ est inférieure à 5 000.
(JA)本発明は、製造ロット間における厚みのバラツキが生じにくく、グレースケール露光に好適に適用できるパターン形成方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供する。本発明のパターン形成方法は、酸の作用によって現像液に対する溶解性が変化する樹脂及び酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に厚みTの膜を形成する工程Aと、膜を露光する工程Bと、露光された膜を、現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程Cと、を有する、パターン形成方法であって、工程Aにおいて形成された膜が、下記条件1及び条件2の少なくとも一方を満たす。 条件1:膜の厚みTが800nm以上の場合、γの値が10000未満である。 条件2:膜の厚みTが800nm未満の場合、γの値が5000未満である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)