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1. (WO2017057009) FILM FOR FORMING PROTECTIVE FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/057009    International Application No.:    PCT/JP2016/077204
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 15.09.2016
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Applicants: TAIYO INK MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 900, Oaza Hirasawa, Ranzan-machi, Hiki-gun, Saitama 3550215 (JP)
Inventors: NITA Yutaka; (JP).
SATO Kazuya; (JP)
Agent: NAGAI Hiroshi; (JP).
NAKAMURA Yukitaka; (JP).
SATO Yasukazu; (JP).
ASAKURA Satoru; (JP).
ASANO Makoto; (JP).
SORIMACHI Hiroshi; (JP)
Priority Data:
2015-191892 29.09.2015 JP
Title (EN) FILM FOR FORMING PROTECTIVE FILM
(FR) FILM DESTINÉ À FORMER UN FILM PROTECTEUR
(JA) 保護膜形成用フィルム
Abstract: front page image
(EN)Provided is a film for forming a protective film, the film being capable of suppressing a semiconductor chip from being electrostatically destroyed, even if a chip has been picked up having gone through a step for peeling a surface protective film, regardless of the type of surface protective film, and as a result, makes it possible to obtain a semiconductor chip having high quality reliability. This film for forming a protective film is a film for forming a protective film to be provided on the back surface of a circuit forming surface of a semiconductor wafer, and is characterized in that the relative permittivity of the semiconductor wafer and the film at a measurement frequency of 10 Hz satisfies formula (1). (1): |εSF|≤9 (In the formula, εS represents the relative permittivity of the semiconductor wafer at a measurement frequency of 10 Hz, and εF represents the relative permittivity of the film for forming a protective film at a measurement frequency of 10 Hz).
(FR)L'invention concerne un film destiné à former un film protecteur, le film étant capable d'empêcher qu'une puce à semi-conducteur ne soit électrostatiquement détruite, même si une puce a été saisie lorsqu'elle a subi une étape de pelage d'un film protecteur de surface, quel que soit le type de film protecteur de surface, et en conséquence, permet d'obtenir une puce semi-conductrice ayant une haute fiabilité de qualité. Ce film destiné à former un film protecteur est un film destiné à former un film protecteur devant être disposé sur la surface arrière d'une surface de formation de circuit d'une tranche de semi-conducteur, et est caractérisé en ce que la constante diélectrique de la tranche de semi-conducteur et du film à une fréquence de mesure de 10 Hz satisfait à la formule (1). (1) : |εSF| ≤ 9 (Dans la formule, εS représente la constante diélectrique de la tranche de semi-conducteur à une fréquence de mesure de 10 Hz, et εF représente la constante diélectrique du film destiné à former un film protecteur à une fréquence de mesure de 10 Hz).
(JA)表面保護フィルムを剥離する工程を経てチップをピックアップした場合であっても、表面保護フィルムの種類によらず、半導体チップが静電破壊されるのを抑制でき、その結果、品質信頼性の高い半導体チップを得ることができる保護膜形成用フィルムを提供する。本発明の保護膜形成用フィルムは、半導体ウエハの回路形成面の裏面に設けられる保護膜を形成するためのフィルムであって、前記半導体ウエハおよび前記フィルムの、測定周波数10Hzにおける比誘電率が下記式(1): |ε-ε|≦9 (1) (式中、εは測定周波数10Hzにおける半導体ウエハの比誘電率を示し、εは測定周波数10Hzにおける保護膜形成用フィルムの比誘電率を示す。)を満足することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)