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1. (WO2017056769) LASER PROCESSING METHOD, AND LASER PROCESSING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/056769    International Application No.:    PCT/JP2016/074039
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 17.08.2016
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), B23K 26/00 (2014.01), B23K 26/04 (2014.01), B23K 26/53 (2014.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: OGIWARA Takafumi; (JP).
KONDOH Yuta; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Priority Data:
2015-191092 29.09.2015 JP
Title (EN) LASER PROCESSING METHOD, AND LASER PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU LASER ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU LASER
(JA) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
Abstract: front page image
(EN)This laser processing method includes: a first step in which a laser beam having a wavelength greater than 1064 nm is focused on an object to be processed, using the rear surface of a silicon substrate as the laser beam incidence surface, and a first focal point of the laser beam is moved along a planned cutting line to form a first modified region along the planned cutting line; and a second step which is performed after the first step, and in which the laser beam having a wavelength greater than 1064 nm is focused on the object to be processed, using the rear surface of the silicon substrate as the laser beam incidence surface, and a second focal point of the laser beam is moved along the planned cutting line, while the second focal point of the laser beam is offset relative to the position corresponding to the first focal point of the laser beam, to form a second modified region along the planned cutting line.
(FR)Le procédé de traitement au laser selon la présente invention comprend : une première étape dans laquelle un faisceau laser ayant une longueur d'onde supérieure à 1064 nm est focalisé sur un objet à traiter, à l'aide de la surface arrière d'un substrat de silicium en tant que surface d'incidence de faisceau laser, et un premier point focal du faisceau laser est déplacé le long d'une ligne de coupe planifiée pour former une première région modifiée le long de la ligne de coupe planifiée ; et une seconde étape qui est réalisée après la première étape, et dans laquelle le faisceau laser ayant une longueur d'onde supérieure à 1064 nm est focalisé sur l'objet à traiter, à l'aide de la surface arrière du substrat de silicium en tant que surface d'incidence de faisceau laser, et un second point focal du faisceau laser est déplacé le long de la ligne de coupe planifiée, tandis que le second point focal du faisceau laser est décalé par rapport à la position correspondant au premier point focal du faisceau laser, pour former une seconde région modifiée le long de la ligne de coupe planifiée.
(JA)レーザ加工方法は、シリコン基板の裏面をレーザ光入射面として、1064nmよりも大きい波長を有するレーザ光を加工対象物に集光させて、切断予定ラインに沿ってレーザ光の第1集光点を移動させることで、切断予定ラインに沿って第1改質領域を形成する第1工程と、第1工程の後に、シリコン基板の裏面をレーザ光入射面として、1064nmよりも大きい波長を有するレーザ光を加工対象物に集光させて、レーザ光の第1集光点を合わせた位置に対してレーザ光の第2集光点をオフセットさせつつ、切断予定ラインに沿ってレーザ光の第2集光点を移動させることで、切断予定ラインに沿って第2改質領域を形成する第2工程と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)