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1. (WO2017056691) METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/056691 International Application No.: PCT/JP2016/072625
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 02.08.2016
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C30B 29/36 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventors: WADA, Keiji; JP
DOI, Hideyuki; JP
ITOH, Hironori; JP
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2015-19148929.09.2015JP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM, ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素エピタキシャル基板の製造装置
Abstract: front page image
(EN) In a step of forming a silicon carbide layer, a first value and a second value belong in a quadrilateral region enclosed by first coordinates, second coordinates, third coordinates, and fourth coordinates in XY plane coordinates, where the X-axis represents the first value which expresses as a percentage a value obtained by dividing the flow rate of silane by the flow rate of hydrogen, and the Y-axis represents the second value which expresses the flow rate of ammonia in units of sccm. The first coordinates are (0.05, 6.5 × 10-4). The second coordinates are (0.05, 4.5 × 10-3). The third coordinates are (0.22, 1.2 × 10-2). The fourth coordinates are (0.22, 1.3 × 10-1). After the step of forming the silicon carbide layer, the silicon carbide layer has a carrier concentration average value of not less than 1 × 1015 cm-3 and not more than 2 × 1016 cm-3.
(FR) Selon la présente invention, dans une étape de formation d'une couche de carbure de silicium, une première valeur et une seconde valeur appartiennent à une zone quadrilatérale délimitée par des première, deuxième, troisième et quatrième coordonnées dans des coordonnées de plan XY, l'axe X représentant la première valeur qui exprime en tant que pourcentage une valeur obtenue en divisant le débit de silane par le débit d'hydrogène, et l'axe Y représentant la seconde valeur qui exprime le débit d'ammoniac en unités de sccm. Les premières coordonnées sont (0,05, 6,5 × 10-4). Les deuxièmes coordonnées sont (0,05, 4,5 × 10-3). Les troisième coordonnées sont (0,22, 1,2 × 10-2). Les quatrièmes coordonnées sont (0,22, 1,3 × 10-1). Après l'étape de formation de la couche de carbure de silicium, la couche de carbure de silicium présente une valeur moyenne de concentration de porteurs de charge supérieure ou égale à 1 × 1015 cm-3 et inférieure ou égale à 2 × 1016 cm-3.
(JA) 炭化珪素層を形成する工程において、シランの流量を水素の流量で除した値を百分率表記した第1値をX軸とし、アンモニアの流量をsccmを単位として表記した第2値をY軸としたとき、第1値および第2値は、XY平面座標における、第1座標、第2座標、第3座標および第4座標に囲まれた四角形の領域内に属する。第1座標は、(0.05,6.5×10-4)である。第2座標は、(0.05,4.5×10-3)である。第3座標は、(0.22,1.2×10-2)である。第4座標は、(0.22,1.3×10-1)である。炭化珪素層を形成する工程後において、炭化珪素層のキャリア濃度の平均値は、1×1015cm-3以上2×1016cm-3以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)