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1. (WO2017056559) MAGNETORESISTIVE DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/056559 International Application No.: PCT/JP2016/066342
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 02.06.2016
IPC:
H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08
Magnetic-field-controlled resistors
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
82
controllable by variation of the magnetic field applied to the device
Applicants: TDK CORPORATION[JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
Inventors: URABE Junichiro; JP
SHIBATA Tetsuya; JP
SHIMURA Atsushi; JP
YAMANE Takekazu; JP
SUZUKI Tsuyoshi; JP
Priority Data:
2015-19304730.09.2015JP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
Abstract:
(EN) Provided is a magnetoresistive device capable of achieving a high-frequency filter utilizing a magnetoresistive element. This magnetoresistive device comprises: a magnetoresistive element including a magnetization fixed layer, a spacer layer, and a magnetization free layer in which the direction of magnetization is changeable; a first port; a second port; a signal line; a direct current input terminal; and a capacitor. The first port and the second port are connected via the signal line. The magnetoresistive element is connected to the signal line and a ground in parallel to the second port. The direct current input terminal is connected to the signal line. A closed circuit including the magnetoresistive element, the signal line, the ground, and the direct current input terminal is formed. The magnetoresistive element is arranged such that a direct current that is input from the direct current input terminal flows through the magnetoresistive element in a direction from the magnetization fixed layer toward the magnetization free layer. The capacitor is connected between the closed circuit and the first port and/or between the closed circuit and the second port in series with the first port 1 and the second port via the signal line.
(FR) L'invention concerne un dispositif magnétorésistif apte à obtenir un filtre haute fréquence utilisant un élément magnétorésistif. Ce dispositif magnétorésistif comprend : un élément magnétorésistif comprenant une couche fixe d'aimantation, une couche d'espacement et une couche libre d'aimantation dans laquelle la direction d'aimantation peut être modifiée ; un premier port ; un deuxième port ; une ligne de signal ; une borne d'entrée de courant continu ; et un condensateur. Le premier port et le deuxième port sont connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal. L'élément magnétorésistif est relié à la ligne de signal et à une masse en parallèle au second port. La borne d'entrée de courant continu est connectée à la ligne de signal. Un circuit fermé comprenant l'élément magnétorésistif, la ligne de signal, le masse et la borne d'entrée de courant continu est formé. L'élément magnétorésistif est disposé de telle sorte qu'un courant continu qui est entré depuis la borne d'entrée de courant continu circule à travers l'élément magnétorésistif dans une direction allant de la couche fixe d'aimantation à la couche libre d'aimantation. Le condensateur est connecté entre le circuit fermé et le premier port et/ou entre le circuit fermé et le deuxième port en série avec le premier port et le deuxième port par l'intermédiaire de la ligne de signal.
(JA) 磁気抵抗効果素子を利用した高周波フィルタを実現できる磁気抵抗効果デバイスを提供する。 磁気抵抗効果デバイスは、磁化固定層、スペーサ層および磁化の方向が変化可能である磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子と、第1のポートと、第2のポートと、信号線路と、直流電流入力端子と、コンデンサとを有し、第1のポートおよび第2のポートが信号線路を介して接続され、磁気抵抗効果素子は、第2のポートに対して並列に、信号線路およびグラウンドに接続され、直流電流入力端子は信号線路に接続され、磁気抵抗効果素子、信号線路、グラウンドおよび直流電流入力端子を含む閉回路が形成され、磁気抵抗効果素子は、直流電流入力端子から入力される直流電流が、磁気抵抗効果素子の中を磁化固定層から磁化自由層の方向に流れるように配置され、コンデンサは、閉回路と第1のポートとの間および閉回路と第2のポートとの間の少なくとも一方に、信号線路を介して第1のポート1および第2のポートと直列に接続されることを特徴とする。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)