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1. (WO2017055624) METHOD FOR MEASURING THICKNESS VARIATIONS IN A LAYER OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/055624    International Application No.:    PCT/EP2016/073558
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 03.10.2016
IPC:
G01B 11/30 (2006.01), G01B 11/06 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin (FR)
Inventors: KONONCHUK, Oleg; (FR)
Agent: REGIMBEAU; 139, Rue Vendôme 69477 Lyon Cedex 06 (FR)
Priority Data:
15306552.9 02.10.2015 EP
Title (EN) METHOD FOR MEASURING THICKNESS VARIATIONS IN A LAYER OF A MULTILAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ POUR MESURER DES VARIATIONS D'ÉPAISSEUR DANS UNE COUCHE DE STRUCTURE MULTICOUCHE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for measuring thickness variations in a first layer of a multilayer semiconductor structure, comprising: - acquiring, with an image acquisition system, an image of at least one zone of the surface of said structure, said image being obtained by reflecting a quasi-monochromatic light flux on said zone of the surface of said structure, - processing said acquired image so as to determine, from intensity variations of the light reflected by said zone of the surface, a map of the thickness variations of said first layer, said treatment comprising comparing the intensity of each pixel of the image with a predetermined calibration curve defining a relationship between the intensity of a pixel of the acquired image and a local thickness of the first layer, said calibration curve being determined for a given thickness of a second layer of the structure different from the first layer, wherein the wavelength of said quasi-monochromatic light flux is selected so as to correspond to a minimum of the sensitivity of the reflectivity with respect to said second layer, said method being characterized in that it further comprises: - measuring the thickness of the second layer in said at least one zone of the surface of the structure, - if said measured thickness is different from the thickness of the second layer considered in the calibration curve, applying a correction curve to the map of the thickness variations, wherein said correction curve defines, for said measured thickness of the second layer, a relationship between a thickness of the first layer and a correction factor to apply to the map of the thickness variations of the first layer, so as to determine a corrected map of thickness variations of the first layer.
(FR)L'invention concerne un procédé pour mesurer des variations d'épaisseur dans une première couche d'une structure multicouche à semi-conducteurs, comprenant les étapes consistant : - à acquérir, avec un système d'acquisition d'image, une image d'au moins une zone de la surface de ladite structure, ladite image étant obtenue par réflexion d'un flux de lumière quasi-monochromatique sur ladite zone de la surface de ladite structure, - à traiter ladite image acquise de façon à déterminer, à partir de variations d'intensité de la lumière réfléchie par ladite zone de la surface, une carte des variations d'épaisseur de ladite première couche, ledit traitement consistant à comparer l'intensité de chaque pixel de l'image avec une courbe d'étalonnage prédéterminée définissant une relation entre l'intensité d'un pixel de l'image acquise et une épaisseur locale de la première couche, ladite courbe d'étalonnage étant déterminée pour une épaisseur donnée d'une seconde couche de la structure différente de la première couche, la longueur d'onde dudit flux de lumière quasi-monochromatique étant sélectionnée de manière à correspondre à un minimum de la sensibilité de la réflectivité par rapport à ladite seconde couche, ledit procédé étant caractérisé en ce que ce dernier consiste en outre : - à mesurer l'épaisseur de la seconde couche dans ladite au moins une zone de la surface de la structure, - si ladite épaisseur mesurée est différente de l'épaisseur de la seconde couche considérée dans la courbe d'étalonnage, à appliquer une courbe de correction sur la carte des variations d'épaisseur, ladite courbe de correction définissant, pour ladite épaisseur mesurée de la seconde couche, une relation entre une épaisseur de la première couche et un facteur de correction à appliquer sur la carte des variations d'épaisseur de la première couche, de façon à déterminer une carte corrigée des variations d'épaisseur de la première couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)