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1. (WO2017055162) SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE AND METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE
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Pub. No.: WO/2017/055162 International Application No.: PCT/EP2016/072519
Publication Date: 06.04.2017 International Filing Date: 22.09.2016
Chapter 2 Demand Filed: 30.05.2017
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01) ,H01S 5/028 (2006.01) ,H01S 5/14 (2006.01) ,H01S 5/50 (2006.01) ,G02B 6/42 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
022
Mountings; Housings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
40
Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02-H01S5/30128
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
028
Coatings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
14
External cavity lasers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
50
Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02-H01S5/30100
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6
Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
24
Coupling light guides
42
Coupling light guides with opto-electronic elements
Applicants:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Inventors:
MÖHRLE, Martin; DE
THEURER, Michael; DE
SIGMUND, Ariane; DE
TROPPENZ, Ute; DE
Agent:
ZIMMERMANN, Tankred; DE
STÖCKELER, Ferdinand; DE
ZINKLER, Franz; DE
SCHENK, Markus; DE
HERSINA, Günter; DE
BURGER, Markus; DE
Priority Data:
10 2015 219 056.001.10.2015DE
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE AND METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SOURCE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLICHTQUELLE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLICHTQUELLE
Abstract:
(EN) A method (100) for fabricating a semiconductor light source is shown. The semiconductor light source has a substrate and also a layer sequence arranged above the substrate, said layer sequence having a light-emitting layer and an upper boundary layer arranged above the light-emitting layer. In a step (S102), the layer sequence is patterned in order to simultaneously form a light-emitting strip for defining the semiconductor light source and an alignment strip, extending parallel thereto, as a horizontal alignment mark. In a further step (S104), a cover layer is put onto the patterned layer sequence, and in step (S106), a portion of the cover layer is removed in order to expose the alignment strip and in order to expose a region of the layer sequence outside the light-emitting strip and at a distance from a light entry edge or a light exit edge of the light-emitting strip as a vertical alignment mark.
(FR) L'invention concerne un procédé (100) de fabrication d'une source semi-conductrice. La source semi-conductrice comprend un substrat ainsi qu'une suite de couches qui sont disposées au-dessus du substrat et qui comprennent une couche électroluminescente et une couche de limitation supérieure disposée au-dessus de la couche électroluminescente. Dans une étape (S102), la suite de couches est structurée afin de former simultanément une bande électroluminescente pour définir la source semi-conductrice et une bande d'ajustage s'étendant parallèle à la première bande en tant que marque d'ajustage horizontale. Dans une deuxième étape (S104), une couche de recouvrement est appliquée sur la suite de couches structurée et, dans une étape (S106), une partie de la couche de recouvrement est supprimée afin de dégager la bande d'ajustage et afin de dégager une zone de la suite de couches en dehors de la bande électroluminescente et distante d'un bord d'entrée de lumière ou d'un bord de sortie de lumière de la bande électroluminescente en tant que marque d'ajustage verticale.
(DE) Es ist ein Verfahrens (100) zur Herstellung einer Halbleiterlichtquelle gezeigt. Die Halbleiterlichtquelle weist ein Substrat sowie eine oberhalb des Substrats angeordnete Schichtfolge auf, wobei dieselbe eine lichtemittierende Schicht und eine oberhalb der lichtemittierenden Schicht angeordnete obere Begrenzungsschicht aufweist. In einem Schritt (S102) wird die Schichtfolge strukturiert, um gleichzeitig einen lichtemittierenden Streifen zur Definition der Halbleiterlichtquelle und einem sich dazu parallel erstreckenden Justierungsstreifen als horizontale Justierungsmarke zu formen. In einem weiteren Schritt (S104) wird eine Abdeckungsschicht auf die strukturierte Schichtfolge aufgebracht und in Schritt (S106) wird ein Teil der Abdeckungsschicht entfernt, um den Justierungsstreifen freizulegen und um einen Bereich der Schichtfolge außerhalb des lichtemittierenden Streifen und beabstandet von einer Lichteintrittskante oder einer Lichtaustrittskante des lichtemittierenden Streifen als vertikale Justierungsmarke freizulegen.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)