Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017039916) TECHNOLOGIES FOR MANAGING A RESERVED HIGH-PERFORMANCE MEMORY REGION OF A SOLID STATE DRIVE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2017/039916 International Application No.: PCT/US2016/045135
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 02.08.2016
IPC:
G06F 3/06 (2006.01)
[IPC code unknown for G06F 3/06]
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
TRIKA, Sanjeev N.; US
GRIMSRUD, Knut S.; US
WYSOCKI, Piotr; PL
Agent:
KELLETT, Glen M.; US
Priority Data:
14/843,58102.09.2015US
Title (EN) TECHNOLOGIES FOR MANAGING A RESERVED HIGH-PERFORMANCE MEMORY REGION OF A SOLID STATE DRIVE
(FR) TECHNOLOGIES POUR GÉRER UNE RÉGION DE MÉMOIRE À HAUTE PERFORMANCE RÉSERVÉE D'UN DISQUE À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
(EN) Technologies for establishing and managing a high-performance memory region of a solid state drive include reserving a region of a volatile memory of the solid state drive for storage of host data. Memory accesses received from a host may be directed toward the reserved region of the volatile memory or toward a non-volatile memory of the solid state drive. Due to the structure of the volatile memory, memory accesses to the reserved region may exhibit lower access timing relative to memory accesses to the non-volatile memory. As such, the reserved region may be utilized as storage space for journaling and logging of data and/or other applications. Upon shutdown or a power failure event, data stored in the reserved region of the volatile memory is copied to the non-volatile memory and subsequently reinstated to the volatile memory upon the next initialization event.
(FR) L'invention concerne des technologies pour établir et gérer une région de mémoire à haute performance d'un disque à semi-conducteurs, lesquelles technologies consistent à réserver une région d'une mémoire volatile du disque à semi-conducteurs pour le stockage de données d'hôte. Des accès en mémoire reçus en provenance d'un hôte peuvent être dirigés vers la région réservée de la mémoire volatile ou vers une mémoire non volatile du disque à semi-conducteurs. En raison de la structure de la mémoire volatile, des accès en mémoire à la région réservée peuvent présenter une temporisation d'accès inférieure par rapport à des accès en mémoire à la mémoire non volatile. Ainsi, la région réservée peut être utilisée en tant qu'espace de stockage pour la journalisation de données et/ou d'autres applications. Lors de l'arrêt ou d'un événement de panne d'électricité, des données stockées dans la région réservée de la mémoire volatile sont copiées dans la mémoire non volatile et réinstallées ultérieurement dans la mémoire volatile lors de l'événement d'initialisation suivant.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)