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1. (WO2017039608) NON-VOLATILE RESISTANCE MEMORY DEVICES INCLUDING A VOLATILE SELECTOR WITH AN ALLOY ELECTRODE AND SILICON DIOXIDE MATRIX
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Pub. No.: WO/2017/039608 International Application No.: PCT/US2015/047722
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 31.08.2015
IPC:
G11C 11/15 (2006.01) ,G11C 13/00 (2006.01)
[IPC code unknown for G11C 11/15][IPC code unknown for G11C 13]
Applicants:
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070, US
Inventors:
ZHANG, Minxian Max; US
WILLIAMS, R. Stanley; US
LI, Xuema; US
LI, Zhiyong; US
GE, Ning; US
Agent:
PAGAR, Preetam; US
Priority Data:
Title (EN) NON-VOLATILE RESISTANCE MEMORY DEVICES INCLUDING A VOLATILE SELECTOR WITH AN ALLOY ELECTRODE AND SILICON DIOXIDE MATRIX
(FR) DISPOSITIFS DE MEMRISTANCE NON VOLATILE COMPRENANT UN SÉLECTEUR VOLATIL AVEC UNE ÉLECTRODE EN ALLIAGE ET UNE MATRICE DE DIOXYDE DE SILICIUM
Abstract:
(EN) A nonvolatile memory cell includes a volatile selector electrically coupled in series with a nonvolatile resistance memory device. The nonvolatile resistance memory device may be a switching material sandwiched between a first bottom electrode and a first top electrode. The volatile selector may be a selector oxide matrix sandwiched between a second bottom electrode and a second top electrode. The selector oxide matrix includes silicon dioxide, while one or both of the second bottom electrode and the second top electrode includes an alloy containing a fast diffusing cation metal and a metal that promotes adhesion to the selector oxide matrix. A memory array utilizing the memory cell and a method for manufacturing the memory array are also provided.
(FR) Une cellule de mémoire non volatile comprend un sélecteur volatil couplé électriquement en série à un dispositif de memristance non volatile. Le dispositif de memristance non volatile peut être un matériau de commutation pris en sandwich entre une première électrode inférieure et une première électrode supérieure. Le sélecteur volatil peut être une matrice d’oxyde de sélecteur prise en sandwich entre une seconde électrode inférieure et une seconde électrode supérieure. La matrice d’oxyde de sélecteur comprend du dioxyde de silicium tandis que la seconde électrode inférieure et/ou la seconde électrode supérieure comprennent un alliage contenant un métal diffusant rapidement des cations et un métal qui favorise une adhérence à la matrice d’oxyde de sélecteur. La présente invention concerne en outre un réseau de mémoires utilisant la cellule de mémoire et un procédé de fabrication du réseau de mémoires.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)