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1. (WO2017038828) POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, UNCURED RESIN PATTERN FORMED WITH SAID RESIN COMPOSITION, CURED RESIN PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH SAME IS USED, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.: WO/2017/038828 International Application No.: PCT/JP2016/075352
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 30.08.2016
IPC:
G03F 7/023 (2006.01) ,C08G 73/10 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
[IPC code unknown for G03F 7/023][IPC code unknown for C08G 73/10][IPC code unknown for G03F 7/40]
Applicants:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
Inventors:
馬場修 BABA, Osamu; JP
亀本聡 KAMEMOTO, Satoshi; JP
奥田良治 OKUDA, Ryoji; JP
Priority Data:
2015-17351503.09.2015JP
Title (EN) POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, UNCURED RESIN PATTERN FORMED WITH SAID RESIN COMPOSITION, CURED RESIN PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH SAME IS USED, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE DE TYPE POSITIF, MOTIF DE RÉSINE NON DURCI FORMÉ AVEC LADITE COMPOSITION DE RÉSINE, MOTIF DE RÉSINE DURCI, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ポジ型感光性樹脂組成物、その樹脂組成物により形成された未硬化の樹脂パターン、硬化樹脂パターン、およびそれを用いた半導体装置とその製造方法
Abstract:
(EN) The purpose of the present invention is: to provide a positive-type photosensitive resin composition with which it is possible to obtain a cured resin pattern having high sensitivity to the i-line of a mercury lamp, excellent chemical resistance to strongly acidic aqueous solutions and strongly alkaline aqueous solutions, and, in particular, highly reliable adhesion to aluminum pads even in an electroless plating step after O2 ashing; and to provide a resin pattern using the composition, and a method for manufacturing a semiconductor device in which the same is used. The positive-type photosensitive resin composition contains (a) an alkali-soluble resin and (b) a quinonediazide compound, the alkali-soluble resin (a) including: (a1) a polyimide precursor in which the residue of a tetracarboxylic acid represented by general formula (1) is present in an amount of 5-50 mol% in relation to the total tetracarboxylic acid residue, the residue of a diamine represented by general formula (2) is present in an amount of 10-80 mol% in relation to the total diamine residue, and the residue of a diamine represented by general formula (3) is present in an amount of 10-90 mol% in relation to the total diamine residue; and/or (a2) a polyimide corresponding to (a1). (In general formula (1), A represents a tetravalent monocyclic or bicyclic aromatic hydrocarbon group free of heteroatoms, and two or more types may be used.) (In general formula (2), B represents a group selected from among O, S, SO2, CH2, CH(CH3), C(CH3)2, and C(CF3)2, and two or more types of these may be used.)
(FR) La présente invention vise : à fournir une composition de résine photosensible de type positif, avec laquelle il est possible d'obtenir un motif de résine durci ayant une sensibilité élevée à la ligne i d'une lampe à mercure, une excellente résistance chimique aux solutions aqueuses fortement acides et aux solutions aqueuses fortement alcalines et, en particulier, une adhérence très fiable à des tampons d'aluminium, même dans une étape de dépôt autocatalytique après calcination d'O2 ; et à fournir un motif de résine à l'aide de la composition, et un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur l'utilisant. La composition de résine photosensible de type positif contient (a) une résine soluble dans un alcali et (b) un composé de quinonediazide, la résine soluble dans un alcali (a) comprenant : (a1) un précurseur de polyimide dans lequel le résidu d'un acide tétracarboxylique représenté par la formule générale (1) est présent dans une quantité de 5 à 50 % en moles par rapport à la quantité totale de résidu d'acide tétracarboxylique, le résidu d'une diamine représentée par la formule générale (2) est présent dans une quantité de 10 à 80 % en moles par rapport à la quantité totale de résidu de diamine, et le résidu d'une diamine représentée par la formule générale (3) est présent dans une quantité de 10 à 90 % en moles par rapport à la quantité totale de résidu de diamine ; et/ou (a2) un polyimide correspondant à (a1). (Dans la formule générale (1), A représente un groupe hydrocarboné aromatique monocyclique ou bicyclique tétravalent exempt d'hétéroatomes, et au moins deux types peuvent être utilisés.) (Dans la formule générale (2), B représente un groupe choisi parmi O, S, SO2, CH2, CH(CH3), C(CH3)2 et C(CF3)2, et au moins deux types de ces derniers peuvent être utilisés.)
(JA) 水銀灯のi線に高感度で、強酸性水溶液、強アルカリ性水溶液に対する耐薬品性に優れ、とりわけOアッシング後の無電解めっき工程においてもアルミパッドとの密着信頼性に優れた硬化樹脂パターンを得ることができるポジ型感光性樹脂組成物、その組成物による樹脂パターン、およびそれを用いた半導体の製造方法を提供することを課題とする。 (a)アルカリ可溶性樹脂、(b)キノンジアジド化合物を含有し、前記(a)アルカリ可溶性樹脂が、 (a1)一般式(1)で表されるテトラカルボン酸の残基を全テトラカルボン酸残基中5~50モル%有し、一般式(2)で表されるジアミンの残基を全ジアミン残基中10~80モル%有し、さらに式(3)で表されるジアミンの残基を全ジアミン残基中10~90モル%有するポリイミド前駆体、 および/または(a2)前記(a1)に対応するポリイミド、 を含むポジ型感光性樹脂組成物。 (一般式(1)中、Aはヘテロ原子を含まない4価の単環式または二環式の芳香族炭化水素基を表し、2種類以上を用いてもよい。)(一般式(2)中、BはO、S、SO、CH、CH(CH)、C(CH、C(CFから選択される基を表し、これらを2種類以上用いてもよい。)
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Filing Language: Japanese (JA)