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Pub. No.: WO/2017/038698 International Application No.: PCT/JP2016/075030
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 26.08.2016
H01L 31/0352 (2006.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,H01L 31/074 (2012.01)
[IPC code unknown for H01L 31/0352][IPC code unknown for B82Y 30][IPC code unknown for H01L 31/074]
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
仲山 徹 NAKAYAMA,Toru; JP
Priority Data:
(JA) 光電変換装置
(EN) Two p/n-joined semiconductor layers 7A, 7B are provided as part of a photoelectric conversion layer 1, at least one semiconductor layer 7A, 7B among the two semiconductor layers 7A, 7B being a quantum dot integrated film 11. The quantum dot integrated film 11 is provided with two or more quantum dot layers 7A, 7B having different energy levels. When the quantum dot integrated film 11 is a p-type film, the quantum dot layer 7A having a large difference between the energy level BV and the Fermi level Ef of a valence band is disposed close to a p/n junction surface 8.
(FR) Deux couches 7A, 7B semi-conductrices à jonction p/n sont utilisées en tant que partie d'une couche de conversion photoélectrique 1, au moins une couche 7A, 7B semi-conductrice parmi les deux couches 7A, 7B semi-conductrices étant un film intégré à points quantiques 11. Le film intégré à points quantiques 11 est muni de deux couches 7A, 7B à points quantiques ou plus présentant des niveaux d'énergie différents. Lorsque le film intégré à points quantiques 11 est un film de type p, la couche 7A à points quantiques présentant une grande différence entre le niveau d'énergie BV et le niveau de Fermi Ef d'une bande de valence est disposée à proximité d'une surface 8 à jonction p/n.
(JA) p/n接合された2つの半導体層7A、7Bを光電変換層1として備えており、2つの半導体層7A、7Bのうち少なくとも一方の半導体層7A、7Bが量子ドット集積膜11であるとともに、該量子ドット集積膜11がエネルギー準位の異なる2層以上の量子ドット層7A、7Bを備えている。量子ドット集積膜11がp型であるとき、p/n接合面8に近い方に、価電子帯のエネルギー準位Bとフェルミ準位Eの差が大きな量子ドット層7Aが配置されている。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)