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1. (WO2017038643) MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILMS FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILMS FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
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Pub. No.: WO/2017/038643 International Application No.: PCT/JP2016/074865
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 25.08.2016
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004
Photosensitive materials
09
characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11
having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
Inventors:
樋田 匠 TOIDA, Takumi; JP
牧野嶋 高史 MAKINOSHIMA, Takashi; JP
佐藤 隆 SATO, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
Agent:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko; JP
Priority Data:
2015-17019031.08.2015JP
Title (EN) MATERIAL FOR FORMING UNDERLAYER FILMS FOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILMS FOR LITHOGRAPHY, UNDERLAYER FILM FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD
(FR) MATÉRIAU PERMETTANT DE FORMER DES FILMS DE SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE, COMPOSITION POUR FORMER DES FILMS DE SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE, FILM DE SOUS-COUCHE POUR LITHOGRAPHIE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びその製造方法、並びにレジストパターン形成方法
Abstract:
(EN) The present invention provides a material is for forming underlayer films for lithography and contains a compound represented by formula (1) and/or a resin including a structural unit derived from the compound represented by formula (1). (In formula (1), R1 represents a single bond or a 2n-valent group having 1-60 carbon atoms, each R2 independently represents: a halogen atom; a linear, a branched, or a cyclic alkyl group having 1-10 carbon atoms; an aryl group having 6-10 carbon atoms; an alkenyl group having 2-10 carbon atoms; an alkoxy group having 1-30 carbon atoms; a thiol group; or a hydroxyl group, each R2 may be different or identical in the same naphthalene ring or benzene ring, n represents an integer of 1-4, structural formulae of the n-number of structural units inside the square brackets may be identical or different from each other when n is an integer equal to or greater that two, X represents an oxygen atom, a sulfur atom, or no cross-linkage, each m2 independently represents an integer of 0-7, however, at least one m2 is an integer of 1-7, each q independently represents 0 or 1, and at least one group selected from the group consisting of R1 and R2 includes an iodine atom.)
(FR) La présente invention concerne un matériau permettant de former des films de sous-couche pour lithographie et contenant un composé représenté par la formule (1) et/ou une résine comprenant une unité structurelle obtenue à partir du composé représenté par la formule (1). (dans la formule (1), R1 représente une liaison simple ou un groupe de valence 2n ayant 1 à 60 atomes de carbone, chaque R2 représente indépendamment : un atome d'halogène ; un groupe alkyle linéaire, ramifié ou cyclique ayant 1 à 10 atomes de carbone ; un groupe aryle ayant 6 à 10 atomes de carbone ; un groupe alcényle ayant 2 à 10 atomes de carbone ; un groupe alcoxy ayant 1 à 30 atomes de carbone ; un groupe thiol ; ou un groupe hydroxyle, chaque R2 peut être différent ou identique dans le même cycle naphtalène ou cycle benzénique, n représente un nombre entier de 1 à 4, des formules structurelles du nombre n d'unités structurelles à l'intérieur des supports carrés peuvent être identiques ou différentes les unes des autres lorsque n est un nombre entier égal ou supérieur à deux, X représente un atome d'oxygène, un atome de soufre ou l'absence de liaison transversale, chaque m2 représente indépendamment un nombre entier de 0 à 7, cependant, au moins un m2 est un nombre entier de 1 à 7, chaque q représente indépendamment 0 ou 1, et au moins un groupe choisi dans le groupe constitué par R1 et R2 comprend un atome d'iode.)
(JA) 本発明は、下記式(1)で表される化合物又は下記式(1)で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂の少なくともいずれかを含有する、リソグラフィー用下層膜形成材料、を提供する。 (式(1)中、Rは、炭素数1~60の2n価の基又は単結合であり、Rは各々独立して、ハロゲン原子、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6~10のアリール基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数1~30のアルコキシ基、チオール基又は水酸基であり、同一のナフタレン環又はベンゼン環において同一であっても異なっていてもよく、nは1~4の整数であり、nが2以上の整数の場合、n個の[ ]内の構造単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、Xは酸素原子、硫黄原子又は無架橋であることを表し、m2は各々独立して0~7の整数であり、ここで、少なくとも1つのmは1~7の整数であり、qは各々独立して0又は1であり、但し、R及びRからなる群より選択される少なくとも1つはヨウ素原子を含む基である。)
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)