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1. (WO2017037937) REACTION TUBE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
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Pub. No.: WO/2017/037937 International Application No.: PCT/JP2015/075172
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 04.09.2015
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/31][IPC code unknown for C23C 16/44][IPC code unknown for H01L 21/318]
Applicants:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Inventors:
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
谷山 智志 TANIYAMA, Tomoshi; JP
中田 高行 NAKADA, Takayuki; JP
Agent:
特許業務法人アイ・ピー・ウィン PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; 神奈川県横浜市神奈川区栄町10番地35 ポートサイドダイヤビル Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
Priority Data:
Title (EN) REACTION TUBE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) TUBE DE RÉACTION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
(EN) Provided is a feature wherein a heat insulation region can be purged with no adverse impacts on a processing region. The present invention includes, in the interior thereof, a processing chamber that includes the processing region for processing a substrate and the heat insulation region located below the processing region. The present invention also includes the following: a first exhaust part that exhausts the atmosphere of the processing region; and a second exhaust part that is formed at a position overlapping the heat insulation region in the height direction and that exhausts the atmosphere of the heat insulating region.
(FR) L'invention concerne un élément dans lequel une région d'isolation thermique peut faire l'objet d'une purge sans effets négatifs sur une région de traitement. La présente invention comprend en son sein une chambre de traitement qui comprend la région de traitement servant à traiter un substrat et la région d'isolation thermique située au-dessous de la région de traitement. La présente invention comprend également les éléments suivants : une première partie d'échappement qui permet un échappement de l'atmosphère de la région de traitement ; et une seconde partie d'échappement qui est formée au niveau d'une position chevauchant la région d'isolation thermique dans le sens de la hauteur et qui permet un échappement de l'atmosphère de la région d'isolation thermique.
(JA) 処理領域に悪影響を与えずに、断熱領域をパージすることができる技術を提供する。 基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、処理領域の雰囲気を排気する第1排気部と、断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、断熱領域の雰囲気を排気する第2排気部と、を有する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)