Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017037803) SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2017/037803 International Application No.: PCT/JP2015/074526
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 28.08.2015
IPC:
H01L 31/068 (2012.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04
adapted as conversion devices
06
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068
the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
幸畑 隼人 KOHATA, Hayato; JP
Agent:
高村 順 TAKAMURA, Jun; JP
Priority Data:
Title (EN) SOLAR CELL AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD
(FR) CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
Abstract:
(EN) A solar cell (1) is provided with: an n-type semiconductor substrate (2) having a pn junction; and a rear surface-side impurity diffusion layer (11), which is formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate (2) or in a rear surface-side surface layer on the reverse side of the light receiving surface, and which has a rear surface-side high-concentration impurity diffusion layer (11a), which contains an n-type or p-type impurity element at a first concentration, and a rear surface-side low-concentration impurity diffusion layer (11b), which contains, at a second concentration that is lower than the first concentration, an impurity element having a conductivity type that is same as that of the rear surface-side high-concentration impurity diffusion layer (11a). The solar cell (1) is also provided with: rear surface first electrodes (13), which are formed at a plurality of areas of the rear surface of the semiconductor substrate (2), and which are electrically connected to the rear surface-side high-concentration impurity diffusion layer (11a); and rear surface second electrodes (14) each of which electrically connects the rear surface first electrodes (13) to each other in a state of being separated from the rear surface-side impurity diffusion layer (11).
(FR) L'invention concerne une cellule solaire (1) comprenant : un substrat semi-conducteur de type n (2) ayant une jonction pn ; et une couche de diffusion des impuretés (11) côté surface arrière qui est formée sur la surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur (2) ou dans une couche de surface côté surface arrière sur le côté opposé de la surface de réception de lumière et qui présente une couche de diffusion des impuretés à haute concentration (11a) côté surface arrière qui contient un élément d'impureté du type n ou de type p à une première concentration et une couche de diffusion des impuretés à faible concentration (11b) côté surface arrière qui contient, à une seconde concentration inférieure à la première, un élément d'impureté ayant un type de conductivité qui est identique à celui de la couche de diffusion des impuretés à haute concentration (11a) côté surface arrière. La cellule solaire (1) comprend également : des premières électrodes (13) de surface arrière qui sont formées au niveau d'une pluralité de zones de la surface arrière du substrat semi-conducteur (2) et qui sont électriquement connectées à la couche de diffusion des impuretés à haute concentration (11a) côté surface arrière ; et des secondes électrodes (14) de surface arrière, chacune connectant électriquement les premières électrodes (13) de surface arrière les unes aux autres dans un état séparé de la couche de diffusion des impuretés (11) côté surface arrière.
(JA) 太陽電池セル(1)は、pn接合を有するn型の半導体基板(2)と、半導体基板(2)の受光面または受光面と対向する裏面側の表層に形成されており、n型またはp型の不純物元素を第1の濃度で含有する裏面側高濃度不純物拡散層(11a)と、裏面側高濃度不純物拡散層(11a)と同じ導電型の不純物元素を第1の濃度よりも低い第2の濃度で含有する裏面側低濃度不純物拡散層(11b)とを有する裏面側不純物拡散層(11)と、を備える。また、太陽電池セル(1)は、半導体基板(2)の裏面において複数箇所に形成されており、裏面側高濃度不純物拡散層(11a)に電気的に接続する裏面第1電極(13)と、裏面側不純物拡散層(11)から離間した状態で複数の裏面第1電極(13)を電気的に接続する裏面第2電極(14)と、を備える。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)