Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017037121) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2017/037121 International Application No.: PCT/EP2016/070525
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 31.08.2016
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 33][IPC code unknown for H01L 33/38][IPC code unknown for H01L 33/44][IPC code unknown for H01L 33/48][IPC code unknown for H01L 33/50][IPC code unknown for H01L 33/54][IPC code unknown for H01L 33/62]
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
PERZLMAIER, Korbinian; DE
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna; DE
LEIRER, Christian; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2015 114 590.101.09.2015DE
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS
Abstract:
(EN) A method for producing an optoelectronic component (10) is specified, wherein a metallization (3) with first mask structures (2) is deposited directionally, and then a first passivation material (4a) is deposited non-directionally onto the metallization (3). Furthermore, cutouts (A) are introduced into the semiconductor body (1), such that the cutouts extend right into an n-type semiconductor region (1b), and a second passivation material (4b) is applied on side faces (A1) of the cutouts (A). Furthermore, an n-type contact material (5) is applied, structured and passivated. In a further method step, contact structures (7) are arranged on the semiconductor body (1) and electrically connected to the n-type contact material (5) and the metallization (3), wherein the contact structures (7) and the semiconductor body (1) are potted and covered with a potting (8).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique (10), comprenant un dépôt dirigé d’une métallisation (3) avec des premières structures de masquage (2) et ensuite un dépôt non dirigé d’un premier matériau de passivation (4a) sur la métallisation (3). Le procédé comprend en outre la réalisation d’évidements (A) dans le corps semi-conducteur (1) de sorte que les évidements parviennent jusqu’à une zone semi-conductrice de type N (1b) ainsi qu’une application d’un second matériau de passivation (4b) sur des surfaces latérales (A1) des évidements (A). Le procédé comprend en outre l’application, la structuration et la passivation d’un matériau de contact de type N (5). Dans encore une autre étape du procédé, des structures de contact (7) sont disposées sur le corps semi-conducteur (1) et reliées électriquement au matériau de contact de type N (5) et à la métallisation (3), les structures de contact (7) et le corps semi-conducteur (1) étant enrobés et recouverts avec un produit de moulage (8).
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) angegeben, wobei ein gerichtetes Abscheiden einer Metallisierung (3) mit ersten Maskenstrukturen (2), und nachfolgend ungerichtetes Abscheiden eines ersten Passivierungsmaterials (4a) auf die Metallisierung (3) erfolgt. Weiterhin erfolgt ein Einbringen von Ausnehmungen (A) in den Halbleiterkörper (1), so dass die Ausnehmungen bis in einen n-Typ Halbleiterbereich (1b) reichen sowie ein Aufbringen eines zweiten Passivierungsmaterials (4b) auf Seitenflächen (A1) der Ausnehmungen (A). Weiterhin wird ein n-Kontaktmaterial (5) aufgebracht, strukturiert und passiviert. In einem weiteren Verfahrensschritt werden Kontaktstrukturen (7) auf den Halbleiterkörper (1) angeordnet und elektrisch mit dem n-Kontaktmaterial (5) und der Metallisierung (3) verbunden, wobei die Kontaktstrukturen (7) und der Halbleiterkörper (1) mit einem Verguss (8) vergossen und abgedeckt werden.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)