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1. (WO2017036729) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
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Pub. No.: WO/2017/036729 International Application No.: PCT/EP2016/068658
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 04.08.2016
IPC:
G02B 5/18 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5
Optical elements other than lenses
18
Diffracting gratings
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82
NANO-TECHNOLOGY
Y
SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANO-STRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANO-STRUCTURES; MANUFACTURE  OR TREATMENT OF NANO-STRUCTURES
10
Nano-technology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82
NANO-TECHNOLOGY
Y
SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANO-STRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANO-STRUCTURES; MANUFACTURE  OR TREATMENT OF NANO-STRUCTURES
40
Manufacture or treatment of nano-structures
Applicants:
PAUL SCHERRER INSTITUT [CH/CH]; 5232 Villigen, CH
Inventors:
JEFIMOVS, Konstantins; CH
KAGIAS, Matias; CH
ROMANO, Lucia; IT
STAMPANONI, Marco; CH
Agent:
FISCHER, Michael; DE
Priority Data:
15183242.501.09.2015EP
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ POUR IMAGERIE À CONTRASTE DE PHASE
Abstract:
(EN) A method with several options to manufacture high aspect ratio structures is proposed. The method is based on fabrication of high aspect ratio recess structure in silicon by dry or chemical etching and then filling the high aspect ratio recess with metal by using electroplating, atomic layer deposition, wafer bonding, metal casting or combination of these techniques. The gratings can be used for x-ray or neutron imaging, as well as for space applications.
(FR) La présente invention a trait à un procédé ayant plusieurs options pour la fabrication de structures à rapport d'aspect élevé. Le procédé est basé sur la fabrication d'une structure évidée à rapport d'aspect élevé dans du silicium grâce à une gravure sèche ou chimique, puis grâce au remplissage de l'évidement à rapport d'aspect élevé à l'aide d'un métal par dépôt électrolytique, par dépôt de couche atomique, par connexion sur plaquette, par coulée de métal ou par association de ces techniques. Les réseaux peuvent être utilisés dans l'imagerie par rayons X ou l'imagerie neutronique, ainsi que dans des applications spatiales.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)