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1. (WO2017036293) DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR THREE-LEVEL UNIT, AND METHOD FOR READING SAME
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Pub. No.: WO/2017/036293 International Application No.: PCT/CN2016/094693
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 11.08.2016
IPC:
G11C 7/06 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06
Sense amplifiers; Associated circuits
Applicants:
深圳星忆存储科技有限公司 SHENZHEN XINGMEM TECHNOLOGY CORPORATION [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区粤海街道科技中二路软件园二期10栋702C室 Room 702C, Building 10, Software Park, Keji Middle 2nd Road, Yuehai Sub-district, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Inventors:
刘波 LIU, Bo; US
Agent:
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) CHOFN INTELLECTUAL PROPERTY; 中国北京市 海淀区北四环西路68号左岸工社12层1215-1218室 Room 1215-1218, Floor 12 Left Bank Community No.68 Beisihuanxilu, Haidian District Beijing 100080, CN
Priority Data:
14/844,00303.09.2015US
Title (EN) DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR THREE-LEVEL UNIT, AND METHOD FOR READING SAME
(FR) MÉMOIRE VIVE DYNAMIQUE POUR UNITÉ À TROIS NIVEAUX, ET SON PROCÉDÉ DE LECTURE
(ZH) 三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法
Abstract:
(EN) A dynamic random access memory for a three-level unit, and a method for reading same. The dynamic random access memory (DRAM) for a three-level unit stores three voltage levels (0, VDD/2, VDD) on a plurality of storage units. A selected storage unit is connected to a bit line (BLT) to produce a signal voltage, and a reference bit line (BLR) adjacent thereto produces a VDD/2 reference voltage. An asymmetric sense amplifier (ASA) is used to judge whether a signal voltage is the same as or different from the reference voltage, and the amplifier has a positive offset voltage and a negative offset voltage. Control signals A and B for the ASA are switched at different time points, or are switched at different voltage levels or a combination of both, so as to set the offset voltage to be in a positive or a negative polarity. Data in the storage unit can be read to the local IO by reading twice from the same ASA continuously or reading once from two ASAs. An output of the ASA will be used for recovering a voltage to the storage unit accessed.
(FR) L'invention concerne une mémoire vive dynamique pour une unité à trois niveaux, et son procédé de lecture. La mémoire vive dynamique (DRAM) pour une unité à trois niveaux stocke trois niveaux de tension (0, VDD/2, VDD) sur une pluralité d'unités de stockage. Une unité de stockage sélectionnée est connectée à une ligne de bits (BLT) pour produire une tension de signal, et une ligne de bits de référence (BLR) adjacente à cette dernière produit une tension de référence VDD/2. Un amplificateur de détection asymétrique (ASA) est utilisé pour évaluer si une tension de signal est identique ou différente de la tension de référence, et l'amplificateur a une tension de décalage positive et une tension de décalage négative. Des signaux de commande A et B pour l'ASA sont commutés à différents points de temps, ou sont commutés à différents niveaux de tension, ou une combinaison des deux, de façon à définir la tension de décalage comme étant une polarité positive ou négative. Des données dans l'unité de stockage peuvent être lues à l'E/S locale en lisant deux fois à partir du même ASA de façon continue ou en lisant une fois à partir de deux ASA. Une sortie de l'ASA sera utilisée pour extraire une tension à partir de l'unité de stockage accessible.
(ZH) 一种三电平单元的动态随机存取存储器及其读取方法。三电平单元的动态随机存取存储器(DRAM)将三种电压电平(0,VDD/2,VDD)储存在多个存储单元上。选定的存储单元连接到位线(BLT)以产生信号电压,相邻的参考位线(BLR)产生VDD/2参考电压。使用一种不对称灵敏放大器(ASA)判断信号电压和参考电压的不同和相同,该放大器具有正偏移电压和负偏移电压。ASA的控制信号A和B在不同的时间点进行切换、或在不同的电压电平进行切换或者二者的结合,以将偏移电压设置在正或负极性。可以从同一个ASA连续读取两次或者从两个ASA进行一次单独读取,以读取存储单元数据到本地IO。ASA的输出将用于将电压恢复到访问的存储单元。
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