Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017036025) III-GROUP NITRIDE ENHANCED TYPE HEMT AND PREPARATION METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2017/036025 International Application No.: PCT/CN2015/099175
Publication Date: 09.03.2017 International Filing Date: 28.12.2015
IPC:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76
Unipolar devices
772
Field-effect transistors
778
with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
334
Multistep processes for the manufacture of devices of the unipolar type
335
Field-effect transistors
Applicants:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 工业园区若水路398号王鹏飞 WANG Pengfei No 398, Ruoshui Road, SIP Suzhou, Jiangsu 215125, CN
Inventors:
孙钱 SUN, Qian; CN
周宇 ZHOU, Yu; CN
李水明 LI, Shuiming; CN
陈小雪 CHEN, Xiaoxue; CN
戴淑君 DAI, Shujun; CN
高宏伟 GAO, Hongwei; CN
冯美鑫 FENG, Meixin; CN
杨辉 YANG, Hui; CN
Agent:
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) NANJING LI&FENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SPECIAL GENERAL PARTNERSHIP); 中国江苏省南京市 秦淮区中华路50号江苏国际经贸大厦1801室王锋 WANG Feng Room 1801, Jiangsu International Trade Building No. 50, Zhonghua Road, Qinhuai District Nanjing, Jiangsu 211100, CN
Priority Data:
201510551408.201.09.2015CN
201510589835.X16.09.2015CN
Title (EN) III-GROUP NITRIDE ENHANCED TYPE HEMT AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) HEMT DU TYPE AMÉLIORÉ AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
Abstract:
(EN) Provided are a III-group nitride enhanced type high electron mobility transistor (HEMT) and preparation method therefor. The HEMT comprises a heterojunction mainly composed of a first semiconductor as a channel layer and a second semiconductor as a barrier layer, and an electrode connected to the heterojunction; the HEMT has a first or a second structure based on an etch stop layer; in the first structure, an etch stop layer is formed between the second and first semiconductors or within the second semiconductor at a set depth; in the second structure, a third semiconductor is provided between the gate electrode and the barrier layer, an etch stop layer being formed in the region between the third and the second semiconductor or in the region in the second semiconductor close to the third semiconductor; the etch stop layer comprises a material having a comparatively high etching selection ratio. Providing the etch stop layer in the HEMT, and in combination with the etching technique, can reliably and precisely realize the etching termination of a specific semiconductor structure layer, ensuring that the electrical characteristics of an apparatus are not affected by the etching process, and ensuring the repeatability and reliability of the apparatus electrical chip process.
(FR) L'invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) du type amélioré au nitrure du groupe III et son procédé de préparation. Le HEMT comprend une hétérojonction principalement composée d'un premier semi-conducteur à titre de couche de canal et d'un deuxième semi-conducteur à titre de couche barrière, et une électrode connectée à l'hétérojonction; le HEMT présente une première ou une deuxième structure basée sur une couche d'arrêt de gravure; dans la première structure, une couche d'arrêt de gravure est formée entre les premier et deuxième semi-conducteurs ou à l'intérieur du deuxième semi-conducteur à une profondeur définie; dans la deuxième structure, un troisième semi-conducteur est disposé entre l'électrode de grille et la couche barrière, une couche d'arrêt de gravure étant formée dans la zone comprise entre les troisième et deuxième semi-conducteurs ou dans la zone comprise dans le deuxième semi-conducteur à proximité du troisième semi-conducteur; la couche d'arrêt de gravure comprend un matériau ayant un taux de sélectivité de gravure relativement élevé. La disposition de la couche d'arrêt de gravure dans le HEMT permet, en combinaison avec la technique de gravure, de réaliser de manière précise et fiable la terminaison de gravure d'une couche de structure semi-conductrice spécifique, en assurant que les caractéristiques électriques d'un appareil ne sont pas affectées par le processus de gravure, et en assurant la répétabilité et la fiabilité du traitement de puce électrique d'appareil.
(ZH) 提供一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含主要由作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体组成的异质结以及与异质结连接的电极;该HEMT具有基于刻蚀终止层的第一或第二种结构;在第一种结构中,于第二、第一半导体之间或于第二半导体内的设定深度处形成有刻蚀终止层;在第二种结构中,栅极与势垒层之间设有第三半导体,于第三、第二半导体之间或于第二半导体中临近第三半导体的区域内形成有刻蚀终止层;该刻蚀终止层由具有较高刻蚀选择比的材料组成。通过在HEMT内设置刻蚀终止层,并结合刻蚀技术,能够可靠、精确地实现特定半导体结构层的刻蚀终止,保障器件电学特性不受刻蚀等工艺的影响及器件电学芯片工艺的重复性、可靠性。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)