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1. (WO2017035030) HYBRID CORRECTIVE PROCESSING SYSTEM AND METHOD
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Pub. No.: WO/2017/035030 International Application No.: PCT/US2016/047911
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 19.08.2016
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/66][IPC code unknown for H01L 21/265]
Applicants:
TEL EPION INC. [US/US]; 900 Middlesex Turnpike, Bldg. 6 Billerica, Massachusetts 01821, US
Inventors:
LAROSE, Joshua; US
PFEIFER, Brian D.; US
LAGANA-GIZZO, Vincent; US
RUSSELL, Noel; US
Agent:
STRANG, Eric; US
Priority Data:
62/208,36221.08.2015US
Title (EN) HYBRID CORRECTIVE PROCESSING SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT CORRECTIF HYBRIDE
Abstract:
(EN) A system and method for performing corrective processing of a workpiece is described. The system and method includes receiving a first set of parametric data from a first source that diagnostically relates to at least a first portion of a microelectronic workpiece, and receiving a second set of parametric data from a second source different than the first source that diagnostically relates to at least a second portion of the microelectronic workpiece. Thereafter, a corrective process is generated, and a target region of the microelectronic workpiece is processed by applying the corrective process to the target region using a combination of the first set of parametric data and the second set of parametric data.
(FR) La présente invention concerne un système et un procédé permettant de mettre en œuvre un traitement correctif d'une pièce. Le système et le procédé font appel à la réception d'un premier ensemble de données paramétriques en provenance d'une première source qui se rapporte, à des fins de diagnostic, à au moins une première partie d'une pièce microélectronique, et à la réception d'un second ensemble de données paramétriques en provenance d'une seconde source différente de la première source qui se rapporte, à des fins de diagnostic, à au moins une seconde partie de la pièce microélectronique. Un traitement correctif est ensuite généré, et une région cible de la pièce microélectronique est traitée par application du traitement correctif à la région cible à l'aide d'une combinaison du premier ensemble de données paramétriques et du second ensemble de données paramétriques.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)