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1. (WO2017034654) INDEPENDENT 3D STACKING
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Pub. No.: WO/2017/034654 International Application No.: PCT/US2016/037690
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 15.06.2016
IPC:
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/10 (2006.01) ,H01L 25/00 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 23][IPC code unknown for H01L 25/065][IPC code unknown for H01L 25/10][IPC code unknown for H01L 25][IPC code unknown for H01L 23/498][IPC code unknown for H01L 21/48]
Applicants:
APPLE INC. [US/US]; 1 Infinite Loop Cupertino, California 95014, US
Inventors:
LAI, Kwan-Yu; US
ZHAI, Jun; US
HU, Kunzhong; US
Agent:
AIKIN, Jacob T.; US
Priority Data:
14/935,31006.11.2015US
62/208,54421.08.2015US
Title (EN) INDEPENDENT 3D STACKING
(FR) EMPILEMENT EN 3D INDÉPENDANT
Abstract:
(EN) Packages and 3D die stacking processes are described. In an embodiment, a package includes a second level die hybrid bonded to a first package level including a first level die encapsulated in an oxide layer, and a plurality of through oxide vias (TOVs) extending through the oxide layer. In an embodiment, the TOVs and the first level die have a height of about 20 microns or less.
(FR) L'invention porte sur des boîtiers et sur des procédés d'empilage de puces en 3D. Dans un mode de réalisation, un boîtier comprend une puce de second niveau, collée de façon hybride à un premier niveau de boîtier comprenant une puce de premier niveau encapsulée dans une couche d'oxyde, une pluralité de trous d'interconnexion à travers l'oxyde (TOV) s'étendant à travers la couche d'oxyde. Dans un mode de réalisation, les TOV et la puce de premier niveau ont une hauteur d'environ 20 microns ou moins.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)