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1. (WO2017033970) DEVICE MANUFACTURING METHOD AND COMPOSITION
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Pub. No.: WO/2017/033970 International Application No.: PCT/JP2016/074665
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 24.08.2016
IPC:
G02B 5/20 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5
Optical elements other than lenses
20
Filters
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29
WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
C
SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL; AFTER- TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
59
Surface shaping, e.g. embossing; Apparatus therefor
02
by mechanical means, e.g. pressing
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants:
東洋合成工業株式会社 TOYO GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 千葉県市川市上妙典1603番地 1603, Kamimyoden, Ichikawa-shi, Chiba 2720012, JP
Inventors:
大幸 武司 OSAKI, Takeshi; JP
Agent:
栗原浩之 KURIHARA, Hiroyuki; JP
山▲崎▼雄一郎 YAMAZAKI, Yuichiro; JP
Priority Data:
2015-16520524.08.2015JP
Title (EN) DEVICE MANUFACTURING METHOD AND COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ET COMPOSITION
(JA) デバイスの製造方法及び組成物
Abstract:
(EN) Provided is a device manufacturing method which includes the following: a step for forming a first film on a substrate by using a composition which includes a polymerizable monomer and an oxidation inhibitor; and a step for forming a second film by curing the first film in a state where at least a portion of a mold having an uneven pattern is brought into contact with the first film, or after at least a portion of the mold was brought into contact with the first film. The oxidation inhibitor is a hindered amine compound and/or a hindered phenol compound having a molecular weight of at least 700. The composition satisfies the relationship (t0(T)-tx(T))/t0(T)×100≤13.0. The manufacturing method is for a device that includes the substrate and the second film disposed on the substrate. (In the formula, t0(T) is the height of a protrusion of an unevenness of a cured film having such unevenness, the unevenness being obtained as a result of the following: after a coating film is formed using the composition, the coating film is brought into contact with an unevenness of the mold, the unevenness being such that the depth of recesses is 3μm and the line width thereof is 5μm, and in that contact state, the coating film is cured. tx(T) is the height of the protrusion obtained after the cured film is heated from 25ºC to 260ºC over five minutes, is subsequently maintained at 260ºC for five minutes, and then cooled to 25ºC over 30 minutes.)
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication de dispositif comprenant : une étape pour former un premier film sur un substrat à l’aide d’une composition qui contient un monomère polymérisable et un inhibiteur d’oxydation ; et une étape pour former un deuxième film en durcissant le premier film dans un état où au moins une partie d’un moule ayant un motif irrégulier est amené en contact avec le premier film, ou après qu’au moins une partie du moule a été amenée en contact avec le premier film. L’inhibiteur d’oxydation est un composé amine encombré et/ou un composé phénol encombré ayant un poids moléculaire d’au moins 700. La composition satisfait à la relation (t0(T)-tx(T))/t0(T) × 100 ≤ 13,0. Le procédé de fabrication est destiné à un dispositif qui comprend le substrat et le deuxième film disposé sur le substrat. (Dans la formule, t0(T) est la hauteur d’une saillie d’une irrégularité d’un film durci présentant cette irrégularité, l’irrégularité étant obtenue en tant que résultat de ce qui suit : après qu’un film de revêtement est formé à l’aide de la composition, le film de revêtement est amené en contact avec une irrégularité du moule, l’irrégularité étant telle que la profondeur des renfoncements soit de 3 µm et que leur largeur de ligne soit de 5 μm, puis, dans cet état de contact, le film de revêtement est durci. tx(T) est la hauteur de la saillie obtenue après chauffage du film durci de 25 °C à 260 °C sur une durée de cinq minutes, suivi d’un maintien à 260 °C pendant cinq minutes, puis d’un refroidissement jusqu’à 25 °C sur 30 minutes.)
(JA) 重合性単量体と、酸化防止剤と、を含む組成物を用いて基材上に第1の膜を形成する工程と、凹凸パターンを有するモールドの少なくとも一部を前記第1の膜に接触させた状態で又は前記モールドの少なくとも一部を前記第1の膜に接触させた後に前記第1の膜を硬化させて第2の膜を形成する工程と、を含み、 前記酸化防止剤が、ヒンダードアミン化合物及び分子量700以上のヒンダードフェノール化合物の少なくともいずれかであり、 前記組成物が(t0(T)-tx(T))/t0(T)×100≦13.0の関係を満たすものである、前記基材と該基材上に配置される前記第2の膜とを有するデバイスの製造方法。 (前記式中、t0(T)は、前記組成物により塗膜を形成した後、前記塗膜を凹部の深さが3μm及び凹部の線幅が5μmである凹凸部を有するモールドの前記凹凸部に接触させた状態で前記塗膜を硬化させて得た、凹凸部を有する硬化膜の前記凹凸部の凸部の高さであり、 tx(T)は、前記硬化膜を25℃から260℃まで5分かけて昇温した後に260℃で5分間保持し、30分かけて25℃まで冷却した後の前記凸部の高さである。)
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)