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1. (WO2017033913) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL COMPRISING A BINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL
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Pub. No.: WO/2017/033913 International Application No.: PCT/JP2016/074465
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 23.08.2016
IPC:
C23C 16/16 (2006.01) ,C07F 15/00 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
[IPC code unknown for C23C 16/16][IPC code unknown for C07F 15][IPC code unknown for H01L 21/28][IPC code unknown for H01L 21/285]
Applicants:
田中貴金属工業株式会社 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422, JP
Inventors:
原田 了輔 HARADA, Ryosuke; JP
重冨 利幸 SHIGETOMI, Toshiyuki; JP
石坂 翼 ISHIZAKA, Tasuku; JP
青山 達貴 AOYAMA, Tatsutaka; JP
Agent:
特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
Priority Data:
2015-16534025.08.2015JP
Title (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL COMPRISING A BINUCLEAR RUTHENIUM COMPLEX AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL
(FR) MATIÈRE PREMIÈRE DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR COMPRENANT UN COMPLEXE BINUCLÉAIRE DU RUTHÉNIUM ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR FAISANT APPEL À LA MATIÈRE PREMIÈRE DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) 複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
Abstract:
(EN) The present invention relates to a chemical vapor deposition starting material for the production of a ruthenium thin film or a ruthenium-compound thin film by chemical vapor deposition, the starting material comprising a binuclear ruthenium complex represented by formula (1), in which carbonyl groups and a nitrogen-containing organic ligand (L) are coordinated to the two metallically bonded ruthenium atoms. This starting material can produce high-purity ruthenium thin films and has both a low melting point and suitable thermal stability. The starting material is therefore suitable for use in the electrodes of various devices and the like.
(FR) La présente invention concerne une matière première de dépôt chimique en phase vapeur pour la production d'un film mince de ruthénium ou d'un film mince d'un composé du ruthénium par dépôt chimique en phase vapeur, la matière première comprenant un complexe binucléaire du ruthénium représenté par la formule (1), dans laquelle des groupes carbonyle et un ligand organique contenant de l'azote (L) sont coordonnés aux deux atomes de ruthénium liés métalliquement. Ladite matière première peut produire des films minces de ruthénium de haute pureté et possède à la fois un faible point de fusion et une stabilité thermique appropriée. La matière première convient par conséquent à une utilisation dans les électrodes de divers dispositifs et similaires.
(JA) 本発明は、化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための化学蒸着用原料において、次式(1)で示される、金属結合した2つのルテニウムに、カルボニルと、窒素を含有する有機配位子(L)と、が配位した複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料に関する。本発明に係る原料は、高純度のルテニウム薄膜が製造できるとともに、融点が低く、適度な熱安定性を兼ね備えている。このため、各種デバイスの電極等への適用に好適である。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)