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1. (WO2017033476) WAVELENGTH COUPLED EXTERNAL RESONATOR-TYPE LASER DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/033476 International Application No.: PCT/JP2016/055385
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 24.02.2016
IPC:
H01S 5/14 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
14
External cavity lasers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
20
Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave
22
having a ridge or a stripe structure
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
今野 進 KONNO, Susumu; JP
河▲崎▼ 正人 KAWASAKI, Masato; JP
森田 大嗣 MORITA, Daiji; JP
桂 智毅 KATSURA, Tomotaka; JP
藤川 周一 FUJIKAWA, Shuichi; JP
Agent:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
Priority Data:
2015-16805527.08.2015JP
Title (EN) WAVELENGTH COUPLED EXTERNAL RESONATOR-TYPE LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER DE TYPE RÉSONATEUR EXTERNE COUPLÉ EN LONGUEUR D'ONDE
(JA) 波長結合外部共振器型レーザ装置
Abstract:
(EN) A wavelength coupled external resonator-type laser device is provided with: a plurality of semiconductor laser bars 1, 1a to 1g which emit mutually different wavelengths of light; a diffraction grating 4 which diffracts light at different angles in accordance with the wavelength so as to cause the light emitted from the semiconductor laser bars 1, 1a to 1g to be superposed on a single optical axis; and a partially transmitting mirror 5 which reflects some of the superposed light along the single optical axis, wherein the semiconductor laser bars 1, 1a to 1g include a plurality of light emitting points 6, 7 having at least two types of wavelength bands BW1, BW2, with only the light emitting point having a specific wavelength band emitting light. This technique enables the production of a high-quality and high-output light beam.
(FR) Cette invention concerne un dispositif laser de type résonateur externe couplé en longueur d'onde, comprenant : une pluralité de barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) qui émettent réciproquement des longueurs d'onde différentes d'une lumière ; un réseau de diffraction (4) qui diffracte la lumière à des angles différents en fonction de la longueur d'onde de manière à amener la lumière émise à partir des barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) à se superposer sur un axe optique unique ; et un miroir à transmission partielle (5) qui réfléchit une partie de la lumière superposée le long de l'axe optique unique, lesdites barres laser à semi-conducteur (1, 1a à 1g) comprenant une pluralité de points d'émission de lumière (6, 7) présentant au moins deux types de bandes de longueur d'onde (BW1, BW2), seul le point d'émission de lumière possédant une bande de longueur d'onde spécifique d'émission de lumière. Cette technique permet de produire un faisceau de lumière de haute qualité et de haut débit.
(JA) 波長結合外部共振器型レーザ装置は、互いに異なる波長の光を出射する複数の半導体レーザバー1,1a~1gと、波長に応じて異なる角度で光を回折し、各半導体レーザバー1,1a~1gから出射された光を単一光軸に重畳させるための回折格子4と、重畳された光の一部を該単一光軸に沿って反射する部分透過ミラー5とを備え、各半導体レーザバー1,1a~1gは、少なくとも2種類の波長帯域BW1,BW2を有する複数の発光点6,7を有し、特定の波長帯域を有する発光点だけが光を出射する。こうした手法により、高品質かつ高出力の光ビームを発生できる。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)