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1. (WO2017033304) CONTROL CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/033304 International Application No.: PCT/JP2015/073981
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 26.08.2015
IPC:
F02P 3/055 (2006.01) ,H03K 17/00 (2006.01) ,H03K 17/08 (2006.01)
F MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
02
COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
P
IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
3
Other electric spark ignition installations characterised by the type of ignition power generation storage
02
having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
04
Layout of circuits
055
with protective means to prevent damage to the circuit or the ignition coil
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
08
Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
山本 剛司 YAMAMOTO, Koji; JP
河本 厚信 KAWAMOTO, Atsunobu; JP
神戸 伸介 GODO, Shinsuke; JP
Agent:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
Priority Data:
Title (EN) CONTROL CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE POUR ÉLÉMENT DE COMMUTATION À SEMI-CONDUCTEURS, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体スイッチング素子の制御回路および半導体装置
Abstract:
(EN) This control circuit for a semiconductor switching element controls a semiconductor switching element, wherein a control terminal, a main electrode terminal, and a current sense terminal are provided, and a diode is connected to the main electrode terminal or the current sense terminal. The control circuit is provided with an overheat detection circuit, a current detection circuit, and an interruption circuit. The overheat detection circuit transmits an overheat detection signal when a temperature detected on the basis of an output of the diode is equal to or higher than a predetermined set temperature. The current detection circuit transmits a current detection signal when an output value of the current sense terminal is equal to or higher than a predetermined set current value. The interruption circuit turns off the semiconductor switching element in the cases where both the overheat detection signal transmitted from the overheat detection circuit, and the current detection signal transmitted from the current detection circuit are inputted.
(FR) Circuit de commande pour un élément de commutation à semi-conducteurs commandant un élément de commutation à semi-conducteurs, une borne de commande, une borne d'électrode principale et une borne de détection de courant étant prévues, et une diode étant connectée à la borne d'électrode principale ou à la borne de détection de courant. Le circuit de commande est pourvu d'un circuit de détection de surchauffe, d'un circuit de détection de courant et d'un circuit d'interruption. Le circuit de détection de surchauffe transmet un signal de détection de surchauffe lorsqu'une température détectée sur la base d'une sortie de la diode est supérieure ou égale à une température de consigne prédéfinie. Le circuit de détection de courant transmet un signal de détection de courant lorsqu'une valeur de sortie du terminal de détection de courant est supérieure ou égale à une valeur de courant de consigne prédéfinie. Le circuit d'interruption met hors tension l'élément de commutation à semi-conducteurs dans les cas où le signal de détection de surchauffe transmis par le circuit de détection de surchauffe, et le signal de détection de courant transmis par le circuit de détection de courant sont entrés tous les deux.
(JA)  半導体スイッチング素子の制御回路は、制御端子、主電極端子および電流センス端子を備え、前記主電極端子または前記電流センス端子にダイオードが接続された半導体スイッチング素子を制御する。この制御回路は、過熱検知回路と、電流検知回路と、遮断回路とを備える。過熱検知回路は、前記ダイオードの出力に基づいて検知した温度が予め定めた設定温度以上であるときに過熱検知信号を発する。電流検知回路は、前記電流センス端子の出力値が予め定めた設定電流値以上であるときに電流検知信号を発する。遮断回路は、前記過熱検知回路からの前記過熱検知信号と前記電流検知回路からの前記電流検知信号の両方が入力された場合に前記半導体スイッチング素子をオフとする。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)