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1. (WO2017032736) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A LITHOGRAPHIC PROCESS, SUBSTRATE AND PATTERNING DEVICES FOR USE IN THE METHOD
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Pub. No.: WO/2017/032736 International Application No.: PCT/EP2016/069790
Publication Date: 02.03.2017 International Filing Date: 22.08.2016
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
[IPC code unknown for G03F 7/20]
Applicants:
ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven, NL
Inventors:
VAN DER SCHAAR, Maurits; NL
ZHANG, Youping; US
SMILDE, Hendrik, Jan, Hidde; NL
TSIATMAS, Anagnostis; NL
VAN LEEST, Adriaan, Johan; NL
VERMA, Alok; NL
THEEUWES, Thomas; NL
CRAMER, Hugo, Augustinus, Joseph; NL
HINNEN, Paul, Christiaan; NL
Agent:
BROEKEN, Petrus; NL
Priority Data:
62/210,93827.08.2015US
62/301,88001.03.2016US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A LITHOGRAPHIC PROCESS, SUBSTRATE AND PATTERNING DEVICES FOR USE IN THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE MESURE D'UN PARAMÈTRE D'UN PROCESSUS LITHOGRAPHIQUE, SUBSTRAT ET DISPOSITIFS DE MODELAGE DE CONTOUR À UTILISER DANS LE PROCÉDÉ
Abstract:
(EN) A substrate has first and second target structures formed thereon by a lithographic process, lithographic process comprising at least two lithographic steps. Each target structure has two-dimensional periodic structure formed in a single material layer, wherein, in the first target structure, features defined in the second lithographic step are displaced relative to features defined in the first lithographic step by a first bias amount, and, in the second target structure, features defined in the second lithographic step are displaced relative to features defined in the first lithographic step by a second bias amount. An angle- resolved scatter spectrum of the first target structure and an angle-resolved scatter spectrum of the second target structure is obtained, and a measurement of a parameter of a lithographic process is derived from the measurements using asymmetry found in the scatter spectra of the first and second target structures.
(FR) Selon l'invention, un substrat comporte des première et deuxième structures cibles formées sur celui-ci par un procédé lithographique, le procédé lithographique comprenant au moins deux étapes lithographiques. Chaque structure cible a une structure périodique bidimensionnelle formée dans une seule couche de matériau, où, dans la première structure cible, des caractéristiques définies dans la deuxième étape lithographique sont déplacées par rapport à des caractéristiques définies dans la première étape lithographique d'une première quantité de décalage, et, dans la deuxième structure cible, des caractéristiques définies dans la deuxième étape lithographique sont déplacées par rapport à des caractéristiques définies dans la première étape lithographique d'une deuxième quantité de décalage. Un spectre de dispersion à résolution angulaire de la première structure cible et un spectre de dispersion à résolution angulaire de la deuxième structure cible sont obtenus, et une mesure d'un paramètre d'un processus lithographique est dérivée des mesures en utilisant l'asymétrie identifiée dans les spectres de dispersion des première et deuxième structures cibles.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)