(EN) For the purpose of providing a technique that enables easy control of the magnetic anisotropy magnetic field of a device that utilizes a TMR effect, a magnetic sensor according to the present invention comprises: a magnetic sensor unit 204 which comprises a first ferromagnetic layer 201 having a fixed magnetization direction, a second ferromagnetic layer 203 having a variable magnetization direction, and a barrier layer 202 arranged between the ferromagnetic layers, and wherein the anisotropy field is more than 0 mT but 10 mT or less; an electrode 210 which fills a contact hole and is connected to the second ferromagnetic layer 203; a hydrogen stopper layer 208 which is formed on a side wall of the electrode 210; and a side wall film 212 which is formed on a side wall of the magnetic sensor unit 204 and is formed of a metal oxide or a metal nitride.
(FR) Dans le but de fournir une technique qui permet une commande aisée du champ magnétique d'anisotropie magnétique d'un dispositif qui utilise un effet TMR, un capteur magnétique selon la présente invention comprend : une unité de capteur magnétique 204 qui comprend une première couche ferromagnétique 201 ayant une direction de magnétisation fixe, une seconde couche ferromagnétique 203 ayant une direction de magnétisation variable, et une couche de barrière 202 disposée entre les couches ferromagnétiques, et le champ d'anisotropie étant supérieur à 0 mT mais de 10 mT ou moins ; une électrode 210 qui remplit un trou de contact et est connectée à la seconde couche ferromagnétique 203 ; une couche d'arrêt d'hydrogène 208 qui est formée sur une paroi latérale de l'électrode 210 ; et un film de paroi latérale 212 qui est formé sur une paroi latérale de l'unité de capteur magnétique 204 et est formé d'un oxyde métallique ou d'un nitrure métallique.
(JA) TMR効果を利用するデバイスの磁気異方性磁界を容易に制御可能な技術を提供するために、磁化方向固定の第1強磁性層201と磁化方向可変の第2強磁性層203とその間に配置された障壁層202とを有し異方性磁界が0を超え10mT以下の磁気センサ部204と、コンタクトホール内に充填され第2強磁性層203に接続された電極210と、電極210の側壁に形成された水素ストッパ層208と、磁気センサ部204の側壁に形成され金属酸化物又は金属窒化物からなる側壁膜212とを有する磁気センサとする。