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1. (WO2016187403) ENHANCED INTEGRATION OF DMOS AND CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/187403    International Application No.:    PCT/US2016/033230
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 19.05.2016
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8249 (2006.01)
Applicants: COOLSTAR TECHNOLOGY. INC. [US/US]; 440 N Wolfe Road Sunnyvale, CA 94085 (US)
Inventors: XU, Shuming; (US)
Agent: ELLENBOGEN, Wayne, L.; (US)
Priority Data:
15/015,956 04.02.2016 US
62/165,094 21.05.2015 US
Title (EN) ENHANCED INTEGRATION OF DMOS AND CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) INTÉGRATION AMÉLIORÉE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR CMOS ET DMOS
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a power semiconductor device includes: forming at least one lateral diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) structure having a first fully silicided gate including a first metal silicide material; and forming at least one complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) structure integrated with the LDMOS structure on a same substrate, the CMOS structure having a second fully silicided gate including a second metal silicide material. The first metal silicide material preferably includes tungsten silicide and the second metal silicide material includes a material other than tungsten silicide.
(FR)Un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur de puissance consiste à : former au moins une structure de semi-conducteur à oxyde de métal à diffusion latérale (LDMOS) ayant une première grille entièrement recouverte de siliciure comprenant un premier matériau de siliciure métallique; et former au moins une structure de semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS) intégrée avec la structure LDMOS sur un même substrat, la structure CMOS ayant une seconde grille entièrement recouverte de siliciure comprenant un second matériau de siliciure métallique. Le premier matériau de siliciure métallique comprend de préférence du siliciure de tungstène et le second matériau de siliciure métallique comprend un matériau autre que le siliciure de tungstène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)