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1. (WO2016185866) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/185866    International Application No.:    PCT/JP2016/062686
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 21.04.2016
IPC:
H03H 9/25 (2006.01), H03H 3/08 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: FUNAHASHI, Kentaro; (JP)
Agent: YOSHIKAWA, Shuichi; (JP)
Priority Data:
2015-101308 18.05.2015 JP
Title (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE, MODULE À HAUTE FRÉQUENCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 弾性表面波装置、高周波モジュール及び弾性表面波装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)This surface acoustic wave device is provided with: a piezoelectric substrate (11); an IDT electrode (20) which is provided on one main surface of the piezoelectric substrate (11); a support layer (50) which is formed to stand on the main surface around a region where the IDT electrode (20) is provided, and the height of which from the main surface is higher than that of the IDT electrode (20); a cover layer (60) which is arranged on the support layer (50) and covers the IDT electrode (20); and a columnar electrode (70) which is formed to stand on the main surface, while being in contact with the support layer (50), and which is electrically connected to the IDT electrode (20). This surface acoustic wave device is provided with an internal space that is surrounded by the piezoelectric substrate (11), the support layer (50) and the cover layer (60). The columnar electrode (70) has a bottom surface (73), an upper surface (71) and a lateral surface (72); and the upper surface (71) and the lateral surface (72) respectively have exposure portions that are exposed to the outside.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface qui est pourvu : d'un substrat piézoélectrique (11) ; d'une électrode IDT (20) qui est prévue sur une surface principale du substrat piézoélectrique (11) ; d'une couche de support (50) qui est formée de manière à reposer sur la surface principale autour d'une région où l'électrode IDT (20) est prévue, et dont la hauteur à partir de la surface principale est supérieure à celle de l'électrode IDT (20) ; d'une couche de recouvrement (60) qui est disposée sur la couche de support (50) et recouvre l'électrode IDT (20) ; et d'une électrode colonnaire (70) qui est formée de manière à reposer sur la surface principale, tout en étant en contact avec la couche de support (50), et qui est connectée électriquement à l'électrode IDT (20). Ce dispositif à ondes acoustiques de surface est pourvu d'un espace interne qui est entouré par le substrat piézoélectrique (11), la couche de support (50) et la couche de recouvrement (60). L'électrode colonnaire (70) comporte une surface inférieure (73), une surface supérieure (71) et une surface latérale (72) ; et la surface supérieure (71) et la surface latérale (72) comportent respectivement des parties apparentes qui sont rendue visibles à l'extérieur.
(JA)弾性表面波装置は、圧電基板(11)と、圧電基板(11)の一方の主面上に設けられたIDT電極(20)と、一方の主面上のIDT電極(20)が設けられた領域の周囲に立設され、IDT電極(20)より一方の主面からの高さが大きい支持層(50)と、支持層(50)上に配置され、IDT電極(20)を覆うカバー層(60)と、一方の主面上であって、支持層(50)に接する位置に立設され、IDT電極(20)と電気的に接続される柱状電極(70)とを備え、圧電基板(11)、支持層(50)及びカバー層(60)によって包囲される内部空間が形成され、柱状電極(70)は、底面(73)と、上面(71)と、側面(72)とを備え、上面(71)及び側面(72)の各々は、外部に露出されている露出部を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)