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1. (WO2016184813) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/184813    International Application No.:    PCT/EP2016/060885
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 13.05.2016
IPC:
H01L 33/62 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventors: SABATHIL, Matthias; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
SINGER, Frank; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
10 2015 107 742.6 18.05.2015 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)Das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) umfasst ein Bereitstellen eines Wafersubstrats (1) umfassend eine lichtemittierende Schichtenfolge (1a), ein Vereinzeln des Wafersubstrats (1) mit der Schichtenfolge (1a) in mehrere Halbleiterbauteile (3), ein Aufbringen der Halbleiterbauteile (3) auf einen Zwischenträger (4), und ein Anordnen eines Vergusses (5) auf den Zwischenträger (4), so dass der Verguss (5) die Halbleiterbauteile (3) lateral umgibt und mit Seitenflächen (3b) der Halbleiterbauteile (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Anordnen jeweils eines Kontaktes (6) auf jeweils einem Halbleiterbauteil (3) und dem Verguss (5), wobei jeweils ein Kontakt (6) an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) des Halbleiterbauteils (3) und des Vergusses (5) angeordnet ist. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Verbinden des Bauteils (10) mit einem Trägerelement (7),an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) der Halbleiterbauteile (3), ein Entfernen des Zwischenträgers (4) und jeweils des Wafersubstrats (1) der Halbleiterbauteile (3), undein elektrisches Kontaktieren der Halbleiterbauteile (3) über die Kontakte (6) und den Verguss (5), wobei eine Kontaktschicht (8) über eine Oberseite (5a) des Vergusses (5), welche den Kontakten (6) abgewandt ist, zur lichtemittierenden Schichtenfolge (1a) geführt wird.
(EN)The method for producing an optoelectronic component (10) comprises a provision of a wafer substrate (1) comprising a light-emitting layer sequence (1a), a separating of the wafer substrate (1) with the layer sequence (1a) into multiple semiconductor components (3), an application of the semiconductor components (3) onto an intermediate carrier (4), and an arrangement of a casting compound (5) to the intermediate carrier (4) so the casting compound (5) laterally surrounds the semiconductor components (3) and is in direct contact with side surfaces (3b) of the semiconductor components (3) at least in some places. Furthermore, the method comprises an arrangement of a contact (6) on a respective semiconductor component (3) and the casting compound (5), wherein a respective contact (6) is arranged on a side (3a) of the semiconductor component (3) and the casting compound (5), said side facing away from the intermediate carrier (4). The method further comprises a connecting of the component (10) to a carrier element (7) on a side (3a) of the semiconductor components (3) facing away from the intermediate carrier (4), a removal of the intermediate carrier (4) and of the respective wafer substrate (1) of the semiconductor components (3), and an electrical contacting of the semiconductor components (3) via the contacts (6) and the casting compound (5), wherein a contact layer (8) is guided to the light-emitting layer sequence (1a) via an upper side (5a) of the casting compound (5), said upper side facing away from the contacts (6).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (10), consistant à fournir un substrat de tranche (1) comportant une succession de couches électroluminescentes (1a), à séparer le substrat de tranche (1) comportant la succession de couches (1a) en plusieurs composants à semi-conducteurs (3), à appliquer les composants à semi-conducteurs (3) sur un support intermédiaire (4), et à disposer un encapsulage (5) sur le support intermédiaire (4), de sorte que l'encapsulage (5) entoure latéralement les composants à semi-conducteurs (3) et est en contact direct au moins par endroits avec les surfaces latérales (3b) des composants à semi-conducteurs (3). Le procédé consiste en outre à disposer dans chaque cas un contact (6) sur chaque composant à semi-conducteurs (3) et l'encapsulage (5), un contact (6) étant dans chaque cas agencé sur une face (3a), opposée au support intermédiaire (4), du composant à semi-conducteurs (3) et de l'encapsulage (5). Le procédé consiste en outre à assembler un composant (10) à un élément de support (7) sur une face des composants à semi-conducteurs (3) opposée au support intermédiaire (4), à retirer le support intermédiaire (4) et dans chaque cas le substrat de tranche (1) des composants à semi-conducteurs (3), et à mettre en contact électrique les composants à semi-conducteurs (3) par l'intermédiaire des contacts (6) et de l'encapsulage (5), une couche de contact (8) étant guidée au-dessus d'une face supérieure (5a) de l'encapsulage (5), laquelle est opposée aux contacts (6), pour obtenir la succession de couches électroluminescentes (1a).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)