WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016184708) ILLUMINATION OPTIC FOR EUV PROJECTION LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/184708    International Application No.:    PCT/EP2016/060284
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 09.05.2016
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen (DE)
Inventors: MÜLLER, Matthias; (DE).
FISCHER, Thomas; (DE).
SEITZ, Stefan; (DE)
Agent: RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg (DE)
Priority Data:
10 2015 209 176.7 20.05.2015 DE
Title (DE) BELEUCHTUNGSOPTIK FÜR DIE EUV-PROJEKTIONSLITHOGRAPHIE
(EN) ILLUMINATION OPTIC FOR EUV PROJECTION LITHOGRAPHY
(FR) OPTIQUE D'EXPOSITION POUR LITHOGRAPHIE PAR PROJECTION EUV
Abstract: front page image
(DE)Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie dient zur Beleuchtung eines Objektfeldes mit Beleuchtungslicht. Die Beleuchtungsoptik hat einen ersten Facettenspiegel mit einer Mehrzahl von ersten Facetten auf einem ersten Spiegelträger, die zwischen mehreren Kippstellungen umstellbar sind. Dem ersten Facettenspiegel nachgeordnet ist ein zweiter Facettenspiegel (10) mit einer Mehrzahl von zweiten Facetten (11), die auf einem zweiten Spiegelträger (10a) um ein Facetten-Anordnungszentrum (12) angeordnet sind. Teilbündel des Beleuchtungslichts werden jeweils über Ausleuchtungskanäle, zu denen eine der ersten Facetten und eine der zweiten Facetten (11) gehört, einander überlagernd in das Objektfeld geführt. Am zweiten Spiegelträger (10a) sind randseitig zweite Maximalwinkel-Facetten (11M) angeordnet. Letztere geben maximal von einer Hauptstrahl-Inzidenzauf dem Objektfeld abweichende, maximale Beleuchtungswinkel des Beleuchtungslichts vor. Der zweite Spiegelträger (10a) hat einen Beleuchtungslicht-Fallenabschnitt (29), dessen Abstand zum Facetten-Anordnungszentrum (12) größer ist als ein Abstand der zweiten Maximalwinkel-Facetten (11M) zum Facetten-Anordnungszentrum (12). Bei einem weiteren Aspekt ist der Abstand des Beleuchtungslicht-Fallenabschnitts zum Facetten-Anordnungszentrum (12) höchstens so groß wie ein Abstand der Maximalwinkel-Facetten (1M) zum Facetten-Anordnungszentrum (12) und der Beleuchtungslicht-Fallenabschnitt ist zum Abführen von Wärmeenergie thermisch an einen Fallen-Kühlkörper angekoppelt. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine Störlichtunterdrückung ohne unerwünschte thermische beziehungsweise optische Auswirkungen möglich ist.
(EN)An illumination optic for EUV projection lithography functions for illuminating an object field with illumination light. The illumination optic has a first facetted mirror with a plurality of first facets on a first mirror support, which are adjustable between multiple tilted positions. A second facetted mirror (10) is arranged downstream of the first facetted mirror and comprises a plurality of second facets (11) which are arranged on a second mirror support (10a) around a facet arrangement center (12). Sub-bundles of the illumination light are each guided superimposed on one another into the object field via illumination channels, to which one of the first facets and one of the second facets (11) belong. Second maximum angle facets (11M) are arranged on the edge on the second mirror support (10a). The maximum angle facets indicate the maximum illumination angle of the illumination light at a maximum deviation from a main beam angle of incidence on the object field. The second mirror support (10a) has an illumination light trap section (29), the distance of which to the facet arrangement center (12) is greater than a distance of the second maximum angle facets (11M) to the facet arrangement center (12). In another aspect, the distance of the illumination light trap section to the facet arrangement center (12) is at most as large as a distance of the maximum angle facets (11M) to the facet arrangement center (12), and the illumination light trap section is thermally coupled to a trap cooling body for dissipating heat energy. The result is an illumination optic with which stray light suppression is possible without undesired thermal or optical effects.
(FR)L'invention concerne une optique d'exposition destinée à la lithographie par projection EUV et servant à exposer un champ d'objet à une lumière d'exposition. L'optique d'exposition présente un premier miroir à facettes muni sur un premier support de miroir d'une pluralité de premières facettes qui peuvent basculer entre plusieurs positions de basculement. En aval du premier miroir à facettes est agencée un deuxième miroir à facettes (10) muni d'une pluralité de deuxièmes facettes (11) qui sont agencées sur un deuxième support de miroir (10a) autour d'un centre d'agencement (12) de facettes. Des faisceaux partiels de la lumière d'exposition sont chacun guidés superposés les uns aux autres vers le champ d'objet par des canaux d'illumination auxquels appartiennent une des premières facettes et une des deuxièmes facettes (11). Des deuxièmes facettes (11M) à angle maximal sont agencées côté bord sur le deuxième support de miroir (10a). Ces dernières définissent des angles d'exposition maximums de la lumière d'exposition différents au maximum d'un angle d'incidence du faisceau principal. Le deuxième support de miroir (10a) présente une section piège à lumière d'exposition (29) dont la distance par rapport au centre d'agencement (12) de facettes est plus grande qu'une distance des deuxièmes facettes (11M) à angle maximal par rapport au centre d'agencement (12) de facettes. Selon un autre aspect, la distance de la section piège à lumière d'exposition par rapport au centre d'agencement (12) de facettes est au maximum égale à une distance des facettes (11M) à angle maximum par rapport au centre d'agencement (12) de facettes, et la section piège à lumière d'exposition est couplée à un corps de refroidissement du piège pour l'évacuation thermique de l'énergie thermique. On obtient ainsi une optique d'exposition qui permet d'atténuer la lumière parasite sans effets thermiques ou optiques indésirables.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)