WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016184590) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/184590    International Application No.:    PCT/EP2016/056140
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 21.03.2016
IPC:
H01L 23/051 (2006.01)
Applicants: ABB SCHWEIZ AG [CH/CH]; Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden (CH)
Inventors: MOHN, Fabian; (CH).
COMMIN, Paul; (CH)
Agent: ABB PATENT ATTORNEYS; c/o ABB Schweiz AG Intellectual Property (CH-IP) Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden (CH)
Priority Data:
15168083.2 19.05.2015 EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (10) comprises two electrodes (12a, 12b) with opposite faces (14); a semiconductor wafer (16) sandwiched between the two electrodes (12a, 12b); an outer insulating ring (24) attached to the two electrodes (12a, 12b) and surrounding the semiconductor wafer (16); a middle insulating ring (40) inside the outer insulating ring (24) and surrounding the semiconductor wafer (16), whereby the middle insulating ring (40) is made of a plastics material; and an inner insulating ring (42) inside the middle insulating ring (40), whereby the inner insulating ring (42) is made of ceramics and/or glass material. Either the middle insulating ring (40) or the inner insulating ring (42) has a tongue (56) and the other thereof has a groove (58) such that the tongue (56) fits into the groove (58) for their rotational alignment. The middle insulating ring (40) and the inner insulating ring (42) have a radial opening (54) for receiving a gate connection (28) of the semiconductor device (10).
(FR)Un dispositif à semi-conducteur (10) comprend deux électrodes (12a, 12b) dotées de faces opposées (14) ; une plaquette de semi-conducteur (16) prise en sandwich entre les deux électrodes (12a, 12b) ; un anneau d'isolement extérieur (24) fixé aux deux électrodes (12a, 12b) et entourant la plaquette de semi-conducteur (16) ; un anneau d'isolement médian (40) à l'intérieur de l'anneau d'isolement extérieur (24) et entourant la plaquette de semi-conducteur (16), l'anneau d'isolement médian (40) étant constitué de plastique ; et un anneau d'isolement intérieur (42) à l'intérieur de l'anneau d'isolement médian (40), l'anneau d'isolement intérieur (42) étant constitué de céramique et/ou d'un matériau de verre. Soit l'anneau d'isolement médian (40) soit l'anneau d'isolement intérieur (42) a une languette (56) et l'autre anneau a une rainure (58) de telle sorte que la languette (56) s'ajuste dans la rainure (58) pour leur alignement de rotation. L'anneau d'isolement médian (40) et l'anneau d'isolement intérieur (42) ont une ouverture radiale (54) permettant de recevoir une connexion de grille (28) du dispositif à semi-conducteur (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)