WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016184151) WEARABLE DEVICE WITH ELECTROSTATIC PROTECTION FUNCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/184151    International Application No.:    PCT/CN2016/071189
Publication Date: 24.11.2016 International Filing Date: 18.01.2016
IPC:
H05F 1/00 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventors: YANG, Tingdong; (CN).
QIAO, Hui; (CN)
Agent: CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 2nd Floor, Zhongguancun Intellectual Property Building, Block B, No.21 Haidian South Road, Haidian Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201520813079.X 19.10.2015 CN
Title (EN) WEARABLE DEVICE WITH ELECTROSTATIC PROTECTION FUNCTION
(FR) DISPOSITIF VESTIMENTAIRE DOTÉ D'UNE FONCTION DE PROTECTION ÉLECTROSTATIQUE
(ZH) 一种具有静电防护功能的可穿戴设备
Abstract: front page image
(EN)A wearable device (20) with an electrostatic protection function, comprising: a housing structure (201), an electrostatic sensitive functional chip (202) and a substrate (203) configured to fix the functional chip, spacing between the housing structure (201) and the functional chip (202) being smaller than a pre-set distance, wherein a dielectric constant corresponding to a dielectric medium of an electrostatic sensitive part of the functional chip (202) is higher than that of air. By changing a medium of an electrostatic sensitive part of an electrostatic sensitive device in the wearable device, the aim of reducing the intensity of an electrostatic field is achieved, such that electrostatic protection can be carried out on a functional chip in the wearable device, thickening of the wearable device is also avoided, and current increasing demands for miniaturization of the wearable device are met.
(FR)L'invention concerne un dispositif vestimentaire (20) doté d'une fonction de protection électrostatique, comprenant : une structure de boîtier (201), une puce fonctionnelle sensible électrostatique (202) et un substrat (203) conçu pour fixer la puce fonctionnelle, l'espacement entre la structure de boîtier (201) et la puce fonctionnelle (202) étant inférieur à une distance prédéterminée, une constante diélectrique correspondant à un milieu diélectrique d'une partie sensible électrostatique de la puce fonctionnelle (202) étant supérieure à celle de l'air. En modifiant un milieu d'une partie sensible électrostatique d'un dispositif sensible électrostatique dans le dispositif vestimentaire, l'objet consistant à réduire l'intensité d'un champ électrostatique est atteint, de telle sorte qu'une protection électrostatique peut être mise en œuvre sur une puce fonctionnelle dans le dispositif vestimentaire, l'épaississement du dispositif vestimentaire est également évité, et les demandes accrues actuelles de miniaturisation du dispositif vestimentaire sont satisfaites.
(ZH)一种具有静电防护功能的可穿戴设备(20),包括:外壳结构(201)、与外壳结构(201)之间间隔低于预设距离的静电敏感的功能芯片(202)及配置为固定所述功能芯片的基板(203);其中,所述功能芯片(202)的静电敏感部分的电介质所对应的介电常数高于空气的介电常数。通过改变可穿戴设备中静电敏感器件的静电敏感部位的介质,达到减弱静电场强度的目的,从而能够在对可穿戴设备中功能芯片进行静电防护的同时,还避免了可穿戴设备的厚度增大,满足了目前日益发展的可穿戴设备小型化及微型化的需求。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)