WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2016183589) METAL MICRO-GRID ELECTRODE FOR HIGHLY EFFICIENT SI MICROWIRE SOLAR CELLS WITH OVER 80% FILL FACTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/183589    International Application No.:    PCT/US2016/032774
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 16.05.2016
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: ZENA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; P.O. Box 380288 Cambridge, Massachusetts 02138 (US)
Inventors: UM, Han-Don; (KR).
HWANG, Inchan; (KR).
KIM, Namwoo; (KR).
YU, Young-June; (US).
SEO, Kwanyong; (KR).
WOBER, Munib; (US)
Agent: DAVE, Raj S.; (US)
Priority Data:
62/161,485 14.05.2015 US
Title (EN) METAL MICRO-GRID ELECTRODE FOR HIGHLY EFFICIENT SI MICROWIRE SOLAR CELLS WITH OVER 80% FILL FACTOR
(FR) ÉLECTRODE À MICRO-GRILLE MÉTALLIQUE POUR CELLULES SOLAIRES À MICROFILS SI HAUTEMENT EFFICACES AYANT UN FACTEUR DE REMPLISSAGE SUPÉRIEUR À 80 %
Abstract: front page image
(EN)Applicants demonstrate novel micro-grid top electrode for highly efficient radial junction Si microwire solar cells. The micro-grid electrode allows the shallow (sheet resistance of -100 Ω/sq) junction emitter to function properly without optical and electrical losses and thus power conversion efficiency of Si microwire solar cell can be enhanced by collecting photocarriers effectively from the shallow emitter through the electrode without serious Auger/surface recombination. By optimizing the micro-grid structure, our microwire solar cells with areas of 1 cm2 show a conversion efficiency of up to 16.5 %, with an open-circuit voltage of 565.2 mV and a short-circuit current density of 35.9 mA/cm2. In particular, over 80 % fill factor (max 81.2 %) is obtained reproducibly due to significant decreases in metal and contact resistances when Applicants applied an electroplating method to form thick Ni electrode of about 1 μπι thickness. The use of the novel micro-grid to build an ideal metal/emitter interface therefore presents a unique opportunity to develop highly efficient microwire solar cells.
(FR)L'invention concerne une nouvelle électrode supérieure à micro-grille pour cellules solaires à microfils SI à jonction radiale hautement efficace. L'électrode à micro-grille permet à l'émetteur de jonction de faible profondeur (résistance de couche de -100 Ω/carré) de fonctionner correctement sans perte optique ni électrique et ainsi l'efficacité de conversion de puissance d'une cellule solaire SI à microfils peut être améliorée en collectant des photoporteurs efficacement à partir de l'émetteur peu profond à travers l'électrode sans recombinaison de surface/Auger importante. Par optimisation de la structure à micro-grille, nos cellules solaires à microfils ayant des surfaces de 1 cm² présentent une efficacité de conversion allant jusqu'à 16,5 %, avec une tension en circuit ouvert de 565,2 mV et une densité de courant de court-circuit de 35,9 mA/cm2. En particulier, un facteur de remplissage supérieur à 80 % (max 81,2 %) est obtenu de manière reproductible en raison de baisses significatives dans les résistances métalliques et de contact lors de l'application d'un procédé d'électrodéposition pour former une électrode Ni épaisse d'environ 1 µm d'épaisseur. L'utilisation de la nouvelle micro-grille pour créer une interface métal/émetteur idéale présente par conséquent une occasion unique de développer des cellules solaires à microfils hautement efficaces.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)