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1. (WO2016183246) LASER ABLATION OF WAVELENGTH TRANSPARENT MATERIAL WITH MATERIAL MODIFICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/183246    International Application No.:    PCT/US2016/031935
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 11.05.2016
IPC:
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: PARK, Giback; (KR).
YOUNG, Michael, Yu-tak; (US).
KWAK, Byung-sung, Leo; (US).
FRANKLIN, Jeffrey, L.; (US).
CHO II, Kyu; (US)
Agent: JAKOPIN, David, A.; (US)
Priority Data:
62/159,865 11.05.2015 US
Title (EN) LASER ABLATION OF WAVELENGTH TRANSPARENT MATERIAL WITH MATERIAL MODIFICATION
(FR) ABLATION PAR LASER DE MATÉRIAU TRANSPARENT DE LONGUEUR D'ONDE AVEC MODIFICATION DE MATÉRIAU
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating electrochemical devices may comprise: providing a layer of dielectric material on a metal electrode; enhancing light absorption in the layer of dielectric material within the visible and near UV range, forming a layer of enhanced dielectric material; and laser ablating substantially all of the enhanced dielectric material in select areas of the layer using a laser with a wavelength in the visible and near UV range, wherein the laser ablating leaves the metal electrode substantially intact. In some embodiments, the layer may be provided engineered for higher laser light absorption within the visible and near ultraviolet range, without the need for enhancing. An electrochemical device may comprise: a substrate; a stack of active device layers formed on the substrate; and an encapsulation layer covering the stack, engineered to strongly absorb laser light within the visible and near ultraviolet range.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs électrochimiques pouvant consister à : fournir une couche de matériau diélectrique sur une électrode métallique ; améliorer l'absorption de lumière dans la couche de matériau diélectrique dans la plage visible et proche UV, former une couche de matériau diélectrique amélioré ; et ablater par laser sensiblement tout le matériau diélectrique amélioré dans des zones choisies de la couche à l'aide d'un laser ayant une longueur d'onde dans la plage visible et proche UV, l'ablation laser laissant l'électrode métallique sensiblement intacte. Dans certains modes de réalisation, la couche peut être fournie après avoir été modifiée pour améliorer l’absorption de lumière laser à l'intérieur de la plage visible et proche UV, sans qu’un renforcement soit nécessaire. Un dispositif électrochimique peut comprendre : un substrat ; une pile de couches de dispositifs actifs formées sur le substrat ; et une couche d'encapsulation recouvrant la pile, modifiée pour absorber fortement la lumière laser dans la plage visible et proche UV.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)