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Pub. No.:    WO/2016/183137    International Application No.:    PCT/US2016/031746
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 11.05.2016
C23C 14/48 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventors: LIKHANSKII, Alexandre; (US).
LEE, William Davis; (US).
RADOVANOV, Svetlana B.; (US)
Agent: DAISAK, Daniel N.; (US)
Priority Data:
14/711,989 14.05.2015 US
Abstract: front page image
(EN)An apparatus may include an extraction assembly comprising at least a first extraction aperture and second extraction aperture, the extraction assembly configured to extract at least a first ion beam and second ion beam from a plasma; a target assembly disposed adjacent the extraction assembly and including at least a first target portion comprising a first material and a second target portion comprising a second material, the first target portion and second target portion being disposed to intercept the first ion beam and second ion beam, respectively; and a substrate stage disposed adjacent the target assembly and configured to scan a substrate along a scan axis between a first point and a second point, wherein the first target portion and second target portion are separated from the first point by a first distance and second distance, respectively, the first distance being less than the second distance.
(FR)Cette invention concerne un appareil, comprenant éventuellement un ensemble d'extraction comprenant au moins une première ouverture d'extraction et une seconde ouverture d'extraction, l'ensemble d'extraction étant configuré pour extraire au moins un premier faisceau d'ions et un second faisceau ionique à partir d'un plasma ; un ensemble cible disposé de manière adjacente à l'ensemble d'extraction et comprenant au moins une première partie de cible comprenant un premier matériau et une seconde partie de cible comprenant un second matériau, la première partie de partie et la seconde partie de cible étant disposées de manière à intercepter le premier faisceau d'ions et le second faisceau d'ions, respectivement ; et un étage de substrat disposé de manière adjacente à l'ensemble cible et configuré pour balayer un substrat le long d'un axe de balayage entre un premier point et un second point, la première partie de cible et la seconde partie de cible étant séparées du premier point par une première distance et une seconde distance, respectivement, la première distance étant inférieure à la seconde distance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)