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1. (WO2016182825) FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING NOTCHED MESA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/182825    International Application No.:    PCT/US2016/030868
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 05.05.2016
IPC:
H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventors: HWANG, Kiuchul; (US)
Agent: MOFFORD, Donald, F.; (US)
Priority Data:
14/707,435 08.05.2015 US
Title (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING NOTCHED MESA
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP AYANT UNE MESA À ENCOCHES
Abstract: front page image
(EN)A Field Effect Transistor structure includes: a semi-insulating substrate; a semiconductor mesa structure disposed on the substrate and having a notch in an outer sidewall of the mesa structure; a source electrode disposed within the opposing sidewalls in ohmic contact with a source region of the mesa structure; a drain electrode disposed within the opposing sidewalls in ohmic contact with a drain region of the mesa; and a gate electrode, having an inner portion disposed between, and laterally of, the source electrode and the drain electrode and in Schottky contact with the mesa structure, extending longitudinally towards the notch and having outer portions extending beyond the mesa structure and over portions of the substrate outside of the mesa structure. In one embodiment, the mesa structure includes a pair of notches projecting inwardly towards each other and the inner portion of the gate extends longitudinally between the pair of notches.
(FR)La présente invention concerne une structure de transistor à effet de champ comprenant : un substrat semi-isolant ; une structure mesa à semi-conducteurs disposée sur le substrat et ayant une encoche dans une paroi latérale externe de la structure mesa ; une électrode source disposée au sein des parois latérales opposées en contact ohmique avec une région source de la structure mesa ; une électrode déversoir disposée au sein des parois latérales opposées en contact ohmique avec une région déversoir de la mesa ; et une électrode grille, ayant une partie interne disposée entre, et latéralement par rapport à, l'électrode source et l'électrode déversoir et en contact Schottky avec la structure mesa, s'étendant longitudinalement vers l'encoche et ayant des parties externes s'étendant au-delà de la structure mesa et sur des parties du substrat à l'extérieur de la structure mesa. Dans un mode de réalisation, la structure mesa comprend une paire d'encoches faisant mutuellement saillie vers l'intérieur et la partie interne de la grille s'étend longitudinalement entre la paire d'encoches.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)