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1. (WO2016182085) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/182085    International Application No.:    PCT/JP2016/064530
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 16.05.2016
Chapter 2 Demand Filed:    04.10.2016    
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventors: FUKAMI Shunsuke; (JP).
IWABUCHI Toru; (JP).
OHNO Hideo; (JP).
ENDOH Tetsuo; (JP)
Agent: KIMURA Mitsuru; (JP)
Priority Data:
2015-098976 14.05.2015 JP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Abstract: front page image
(EN)A magnetoresistive effect element (100) has a recording layer (10) that contains a ferromagnetic body, a barrier layer (20) layered on the recording layer (10), and a reference layer (30) layered on the barrier layer (20), the reference layer (30) containing a ferromagnetic body. The reference layer (30) has a magnetization component substantially fixed substantially in the in-plane direction. The recording layer (10) includes: a first magnetization fixed region (11) having a magnetization component essentially fixed in substantially the in-plane direction; a second magnetization fixed region (12) having a magnetization component essentially fixed in the direction opposite that of the magnetization component of the first magnetization fixed region (11); and a magnetization free region (13) positioned between the first magnetization fixed region (11) and the second magnetization fixed region (12), the magnetization free region (13) having a magnetization component capable of inverting in substantially the in-plane direction. The wire width of a fine wire constituting a part of the recording layer (10) is 40 nm or less. The film thickness of the recording layer (10) is 40 nm or less and is equivalent to half to twice the wire width.
(FR)La présente invention porte sur un élément à effet magnétorésistif (100) qui a une couche d'enregistrement (10) qui contient un corps ferromagnétique, une couche de barrière (20) stratifiée sur la couche d'enregistrement (10), et une couche de référence (30) stratifiée sur la couche de barrière (20), la couche de référence (30) contenant un corps ferromagnétique. La couche de référence (30) a une composante de magnétisation sensiblement fixe sensiblement dans la direction dans le plan. La couche d'enregistrement (10) comprend : une première région à aimantation fixe (11) ayant une composante de magnétisation essentiellement fixe dans sensiblement la direction dans le plan; une seconde région à aimantation fixe (12) ayant une composante de magnétisation essentiellement fixe dans la direction opposée à celle de la composante de magnétisation de la première région à magnétisation fixe (11); et une région à magnétisation libre (13) positionnée entre la première région à magnétisation fixe (11) et la seconde région à magnétisation fixe (12), la région à aimantation libre (13) ayant une composante de magnétisation capable d'inversion sensiblement dans la direction dans le plan. La largeur de fil d'un fil fin constituant une partie de la couche d'enregistrement (10) est de 40 nm au maximum. L'épaisseur de film de la couche d'enregistrement (10) est de 40 nm au maximum et est équivalente à la moitié à deux fois la largeur de fil.
(JA)磁気抵抗効果素子(100)は、強磁性体を含む記録層(10)と、記録層(10)の上に積層された障壁層(20)と、障壁層(20)の上に積層され、強磁性体を含む参照層(30)とを有する。参照層(30)は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する。記録層(10)は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する第1磁化固定領域(11)と、第1磁化固定領域(11)が有する磁化成分と反対の向きに実質固定された磁化成分を有する第2磁化固定領域(12)と、第1磁化固定領域(11)と第2磁化固定領域(12)との間に位置し、略面内方向において反転可能な磁化成分を有する磁化自由領域(13)とを含む。記録層(10)を構成する細線の線幅は40nm以下であり、記録層(10)の膜厚は、40nm以下であり、線幅の1/2以上、かつ、2倍以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)