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1. (WO2016182080) VACUUM CHANNEL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/182080    International Application No.:    PCT/JP2016/064390
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 13.05.2016
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), H01J 19/02 (2006.01), H01J 21/10 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: YAMAGUCHI UNIVERSITY [JP/JP]; 1677-1, Yoshida, Yamaguchi-shi, Yamaguchi 7538511 (JP)
Inventors: YOKOGAWA, Toshiya; (JP).
SANADA, Atsushi; (JP)
Agent: TOMISAKI, Motonari; (JP)
Priority Data:
2015-099497 14.05.2015 JP
Title (EN) VACUUM CHANNEL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À CANAL À VIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a vacuum channel transistor which uses a gallium nitride-aluminum nitride mixed crystal semiconductor, and wherein the electron emission efficiency is improved and the threshold voltage for electron emission is decreased. This vacuum channel transistor comprises: a conductor substrate 11 that constitutes a gate electrode; an insulating layer 12 that is formed on the conductor substrate and is formed of an insulating body; a source electrode 131 that is formed on the insulating layer; and a drain electrode 132 that is formed on the insulating layer so as to face the source electrode. The source electrode is formed of a crystal of a gallium nitride-aluminum nitride mixed crystal semiconductor having a wurtzite structure, and is arranged so that the angle between the main emission direction of electrons and the c-axis direction of the crystal structure is 30° or less.
(FR)L'invention concerne un transistor à canal à vide qui utilise un semi-conducteur à cristal mixte nitrure de gallium-nitrure d'aluminium, et dont le rendement d'émission d'électrons est amélioré et la tension de seuil pour l'émission d'électrons est diminuée. Ledit transistor à canal à vide comprend : un substrat conducteur (11) qui constitue une électrode de grille ; une couche isolante (12) qui est formée sur le substrat conducteur et est constituée d'un corps isolant ; une électrode de source (131) qui est formée sur la couche isolante ; et une électrode de drain (132) qui est formée sur la couche isolante de manière à faire face à l'électrode de source. L'électrode de source est constituée d'un cristal d'un semi-conducteur à cristal mixte nitrure de gallium-nitrure d'aluminium présentant une structure wurtzite, et est disposée de manière que l'angle entre la direction principale d'émission d'électrons et la direction de l'axe c de la structure cristalline soit inférieur ou égal à 30°.
(JA)窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。 ゲート電極をなす導体基板11と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層12と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極131と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極132とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム-窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)