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1. (WO2016181917) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL COMPRISING HETEROGENEOUS POLYNUCLEAR COMPLEX, AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING SAID CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/181917    International Application No.:    PCT/JP2016/063694
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 09.05.2016
IPC:
C23C 16/18 (2006.01), C07C 251/08 (2006.01), C07F 13/00 (2006.01), C07F 15/00 (2006.01), C07F 15/06 (2006.01), C07F 19/00 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422 (JP)
Inventors: HARADA, Ryosuke; (JP).
SHIGETOMI, Toshiyuki; (JP).
NABEYA, Shunichi; (JP).
SUZUKI, Kazuharu; (JP).
KUMAKURA, Akiko; (JP).
AOYAMA, Tatsutaka; (JP).
SONE, Takayuki; (JP)
Agent: TANAKA AND OKAZAKI; Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP)
Priority Data:
2015-096980 12.05.2015 JP
Title (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL COMPRISING HETEROGENEOUS POLYNUCLEAR COMPLEX, AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING SAID CHEMICAL VAPOR DEPOSITION STARTING MATERIAL
(FR) PRÉCURSEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR COMPRENANT UN COMPLEXE POLYNUCLÉAIRE HÉTÉROGÈNE, ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR METTANT EN ŒUVRE LEDIT PRÉCURSEUR DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
(JA) 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a chemical vapor deposition starting material represented below that comprises a heterogeneous polynuclear complex in which at least a diimine and carbonyl are coordinated, as ligands, to a first transition metal and second transition metal which are central metals. The first transition metal (M1) and second transition metal (M2) are different from each other. There are 1-2 diimines (L), inclusive, to which substituent groups R1-R4 which are each either hydrogen atoms or C1-5 alkyl groups are coordinated. The chemical vapor deposition starting material of the present invention makes it possible, using a single starting material, to form a composite metal thin film or composite metal compound thin film including a plurality of metals.
(FR)La présente invention concerne un précurseur de dépôt chimique en phase vapeur représenté ci-après, qui comprend un complexe polynucléaire hétérogène dans lequel au moins une diimine et un carbonyle sont coordonnés, en tant que ligands, à un premier métal de transition et un second métal de transition qui sont des métaux centraux. Le premier métal de transition (M1) et le second métal de transition (M2) sont différents l'un de l'autre. Il existe 1 à 2 diimines (L), inclus, auxquelles sont coordonnés des groupes de substitution R1-R4 qui sont soit des atomes d'hydrogène soit des groupes alkyles C1-5. Ledit précurseur de dépôt chimique en phase vapeur permet de former un film mince métallique composite ou un film mince métallique composite comprenant une pluralité de métaux à partir d'un seul précurseur.
(JA)本発明は、中心金属である第1遷移金属及び第2の遷移金属に、配位子として、少なくとも、ジイミン及びカルボニルが配位した異種複核錯体からなり、下記に示される化学蒸着用原料に関する。下記において、第1遷移金属(M)と第2の遷移金属(M)は相互に異なる。ジイミン(L)は、1以上2以下であり、置換基R~Rとして、それぞれ、水素原子、炭素数1以上5以下のアルキル基のいずれか1種が配位する。本発明に係る化学蒸着用原料は、単一原料により、複数の金属を含む複合金属薄膜又は複合金属化合物薄膜を形成できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)