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1. (WO2016181787) SILICON EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2016/181787    International Application No.:    PCT/JP2016/062662
Publication Date: 17.11.2016 International Filing Date: 21.04.2016
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventors: KATANO Tomokazu; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; (JP)
Priority Data:
2015-095604 08.05.2015 JP
Title (EN) SILICON EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) シリコンエピタキシャルウェーハ、その製造方法
Abstract: front page image
(EN)An epitaxial wafer is produced without occurrence of slip or an increase in epitaxial defects while maintaining a specified oxygen concentration by pulling a silicon single crystal so that the nitrogen concentration of the crystal is 1×1011-2×1013 atoms/cm3, the crystal cooling rate is about 4.2°C/min from the silicon melting point to 1350°C and about 3.1°C/min from 1200 to 1000°C, and the oxygen concentration of the wafer is 9.5×1017-13.5×1017 atoms/cm3, heat treating a wafer sliced from the silicon single crystal under treatment conditions of 875°C for about 30 min, and then conducting epitaxial layer growth.
(FR)L'invention concerne une tranche épitaxiale produite sans l'apparition d'un glissement ni d'une augmentation de défauts épitaxiaux, tout en conservant une concentration en oxygène spécifiée, par tirage d'un monocristal de silicium de manière telle que la concentration en azote du cristal est de 1×1011-2×1013 atomes/cm3, la vitesse de refroidissement du cristal est d'environ 4,2°C/min à partir du point de fusion du silicium jusqu'à 1350°C et d'environ 3,1°C/min de 1200 à 1000°C et la concentration en oxygène de la tranche est de 9,5×1017-13,5×1017 atomes/cm3, traitement thermique d'une tranche découpée du monocristal de silicium dans des conditions de traitement à 875°C pendant environ 30 min et ensuite réalisation de la croissance de la couche épitaxiale.
(JA)結晶の窒素濃度を1×1011~2×1013atoms/cm、結晶冷却速度をシリコン融点~1350℃が4.2℃/min程度、1200~1000℃が3.1℃/min程度、ウェーハの酸素濃度を9.5×1017~13.5×1017atoms/cmとなるようにシリコン単結晶を引き上げて、該シリコン単結晶からスライスしたウェーハに、処理条件が875℃、30min程度である熱処理を施した後、エピタキシャル層成長をおこなうことで、規定の酸素濃度を維持しつつエピ欠陥を増やすことなくslip発生がないエピウェーハを製造する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)